[发明专利]一种集成电路在审
申请号: | 202110181478.9 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112992886A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 杨妍;李志华;唐波;张鹏;孙富君;刘若男;李彬;谢玲;王文武 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/538;H01L23/367 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 | ||
1.一种集成电路,其特征在于,包括:
半导体衬底,所述半导体衬底的第一侧开设有开口槽;
光模块,所述光模块包括光芯片和第一电芯片;所述光芯片位于所述开口槽内,用于对光信号进行调制,和/或将光信号转换为电信号;所述第一电芯片的其中一部分位于所述光芯片上、且与所述光芯片电连接;所述第一电芯片的另一部分位于所述半导体衬底的第一侧上;
第二电芯片,所述第二电芯片位于所述半导体衬底的第一侧上;
互连结构,所述互连结构至少位于所述半导体衬底内,用于将所述第一电芯片位于所述半导体衬底上的部分与所述第二电芯片电连接。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述光芯片至少包括基底、以及形成在所述基底内的调制器和/或光电探测器;所述调制器和所述光电探测器分别与相应所述第一电芯片位于所述光芯片上的部分电连接。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,所述调制器和所述光电探测器分别通过凸块与相应所述第一电芯片位于所述光芯片上的部分电连接;其中,
所述凸块为微凸块或铜柱凸块。
4.根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,当所述光芯片包括所述基底、所述调制器和所述光电探测器时,所述第一电芯片的个数为至少两个,至少两个所述第一电芯片包括驱动器和放大器;所述驱动器位于所述光芯片上的部分与所述调制器电连接;所述放大器位于所述光芯片上的部分与所述光电探测器电连接。
5.根据权利要求4所述的集成电路,其特征在于,所述放大器为跨阻放大器和/或限幅放大器。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述第二电芯片为串并-并串转换芯片或编解码芯片。
7.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述互连结构包括多条互连线、以及多个连接结构;
多个所述连接结构形成在所述半导体衬底与所述第一电芯片或所述第二电芯片之间;
多条所述互连线形成在所述半导体衬底内,并且每条所述互连线通过相应所述连接结构将相应所述第一电芯片位于所述半导体衬底上的部分与相应所述第二电芯片电连接。
8.根据权利要求7所述的集成电路,其特征在于,所述连接结构为微凸块或铜柱凸块。
9.根据权利要求1~8任一项所述的集成电路,其特征在于,所述开口槽的横截面积大于或等于所述光芯片的横截面积;和/或,
所述开口槽的深度大于或等于所述光芯片的厚度。
10.根据权利要求1~8任一项所述的集成电路,其特征在于,所述半导体衬底为硅衬底。
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