[发明专利]灵敏放大器及其控制方法

权利要求书

1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：第一电源端、第二电源端、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管；其中，

所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极及所述第四PMOS管的源极均与所述灵敏放大器的第一电源端相连接；所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极及所述第三PMOS管的栅极均与读出位线相连接，所述第三PMOS管的漏极与所述读出位线电连接；所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极及所述第四PMOS管栅极均与互补读出位线相连接，所述第四PMOS管的漏极与所述互补读出位线电连接；

所述第一开关单元的第一端与互补位线相连接，第二端与所述读出位线相连接，控制端与第一隔离信号相连接；

所述第二开关单元的第一端与位线相连接，第二端与所述互补读出位线相连接，控制端与第二隔离信号相连接；

所述第三开关单元的第一端与所述读出位线相连接，第二端与所述位线相连接，控制端与第一偏移消除信号相连接；

所述第四开关单元的第一端与所述互补读出位线相连接，第二端与所述互补位线相连接，控制端与第二偏移消除信号相连接；

所述第一NMOS管的源极及所述第二NMOS管的源极与所述灵敏放大器的第二电源端相连接；所述第一NMOS管的栅极与所述位线相连接，所述第一NMOS管的漏极与所述读出位线相连接；所述第二NMOS管的栅极与所述互补位线相连接，所述第二NMOS管的漏极与所述互补读出位线相连接。

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一开关单元包括第一开关管，所述第二开关单元包括第二开关管，所述第三开关单元包括第三开关管及第四开关管，所述第四开关单元包括第五开关管及第六开关管；

所述第三开关管的第一端与所述读出位线相连接，第二端与所述第三PMOS管的漏极相连接，控制端与所述第一偏移消除信号相连接；

所述第四开关管的第一端与所述第三开关管的第二端相连接，第二端与所述位线相连接，控制端与所述第一偏移消除信号相连接；

所述第五开关管的第一端与所述互补读出位线相连接，第二端与所述第四PMOS管的漏极相连接，控制端与所述第二偏移消除信号相连接；

所述第六开关管的第一端与所述第五开关管的第二端相连接，第二端与所述互补位线相连接，控制端与所述第二偏移消除信号相连接。

3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管、所述第四开关管、所述第五开关管及所述第六开关管均为NMOS管；所述第一开关管的第一端、所述第二开关管的第一端、所述第三开关管的第一端、所述第四开关管的第一端、所述第五开关管的第一端及所述第六开关管的第一端均为NMOS管的漏极，所述第一开关管的第二端、所述第二开关管的第二端、所述第三开关管的第二端、所述第四开关管的第二端、所述第五开关管的第二端及所述第六开关管的第二端均为NMOS管的源极，所述第一开关管的控制端、所述第二开关管的控制端、所述第三开关管的控制端、所述第四开关管的控制端、所述第五开关管的控制端及所述第六开关管的控制端均为NMOS管的栅极。

4.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一开关单元包括第一开关管，所述第二开关单元包括第二开关管，所述第三开关单元包括第三开关管，所述第四开关单元包括第四开关管；所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管及所述第四开关管均为NMOS管；所述第一开关管的第一端、所述第二开关管的第一端、所述第三开关管的第一端、所述第四开关管的第一端均为NMOS管的漏极，所述第一开关管的第二端、所述第二开关管的第二端、所述第三开关管的第二端、所述第四开关管的第二端均为NMOS管的源极，所述第一开关管的控制端、所述第二开关管的控制端、所述第三开关管的控制端及所述第四开关管的控制端均为NMOS管的栅极；所述第三PMOS管的漏极与所述读出位线相连接，所述第四PMOS管的漏极与所述互补读出位线相连接。

5.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器通过第五开关单元与储能单元相连接。