[发明专利]陶瓷件及其制作方法

权利要求书

1.一种陶瓷件制作方法，其特征在于，包括：

S1、在陶瓷粉粒中加入胶黏剂，形成陶瓷生胚；

S2、对所述陶瓷生胚进行加工，以获得所需形状和尺寸；

S3、对所述陶瓷生胚的整个待处理表面进行刷扫处理，以去除所述待处理表面上存在的缺陷；

S4、对所述陶瓷生胚进行烧结，形成所述陶瓷件。

2.根据权利要求1所述的陶瓷件制作方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

S31、控制软质刷扫工具移动，同时自转，以对所述陶瓷生胚的整个待处理表面进行刷扫；

S32、控制所述软质刷扫工具单向移动，以对所述陶瓷生胚的整个待处理表面进行刷扫；

S33、采用喷淋吹扫气体的方式对所述陶瓷生胚的整个待处理表面进行单向吹扫。

3.根据权利要求2所述的陶瓷件制作方法，其特征在于，所述步骤S31，包括：

S311、控制所述软质刷扫工具沿平行于所述待处理表面的第一方向移动一个单元位移量；

S312、控制所述软质刷扫工具沿与所述第一方向相互垂直的第二方向作往复移动；

交替进行所述步骤S311和步骤S312，直至所述软质刷扫工具自所述待处理表面的一侧沿所述第一方向移动至所述待处理表面的另一侧。

4.根据权利要求2或3所述的陶瓷件制作方法，其特征在于，在所述步骤S31中，所述软质刷扫工具的自转速度的范围为500-2000rpm/min。

5.根据权利要求2或3所述的陶瓷件制作方法，其特征在于，在所述步骤S31中，所述软质刷扫工具的移动速度的范围为80-200mm/min。

6.根据权利要求2或3所述的陶瓷件制作方法，其特征在于，在所述步骤S31中，所述软质刷扫工具与所述待处理表面之间的间距的范围为0.1-0.5mm。

7.根据权利要求2所述的陶瓷件制作方法，其特征在于，所述步骤S32，包括：

S321、控制所述软质刷扫工具沿平行于所述待处理表面的第三方向移动一个单元位移量；

S322、控制所述软质刷扫工具沿与所述第三方向相互垂直的第四方向作单向移动；

交替进行所述步骤S321和步骤S322，直至所述软质刷扫工具自所述待处理表面的一侧沿所述第三方向移动至所述待处理表面的另一侧。

8.根据权利要求1所述的陶瓷件制作方法，其特征在于，所述步骤S33，包括：

S331、控制用于喷淋吹扫气体的吹扫工具沿平行于所述待处理表面的第五方向移动一个单元位移量；

S332、控制所述吹扫工具沿与所述第五方向相互垂直的第六方向作单向移动；

交替进行所述步骤S331和步骤S332，直至所述吹扫工具自所述待处理表面的一侧沿所述第五方向移动至所述待处理表面的另一侧。

9.根据权利要求2所述的陶瓷件制作方法，其特征在于，在所述步骤S33之后，所述步骤S3还包括：

S34、检测所述待处理表面上存在的缺陷数量是否满足要求，若否，则返回所述步骤S31；若是，则流程结束。

10.一种陶瓷件，应用于半导体加工设备，其特征在于，所述陶瓷件采用权利要求1-9任意一项所述的陶瓷制作方法制成。