[发明专利]陶瓷件及其制作方法

说明书

本发明实施例提供一种陶瓷件及其制作方法，该陶瓷件制作方法包括以下步骤：S1、在陶瓷粉粒中加入胶黏剂，形成陶瓷生胚；S2、对陶瓷生胚进行加工，以获得所需形状和尺寸；S3、对陶瓷生胚的整个待处理表面进行刷扫处理，以去除待处理表面上存在的缺陷；S4、对陶瓷生胚进行烧结，形成陶瓷件。本发明实施例提供的陶瓷件及其制作方法，能够减少陶瓷件表面上存在的隆起晶粒和孔洞缺陷的数量，从而可以提高芯片良率。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体地，涉及一种陶瓷件及其制作方法。

背景技术

典型的干法刻蚀设备是将刻蚀气体通入反应腔室，刻蚀气体在上射频系统的作用下产生等离子体，该等离子体在下射频系统的作用下朝向晶圆表面移动，并与其发生多种物理和化学反应，最终完成对晶圆的刻蚀。在刻蚀过程中，反应腔室内暴露在等离子体环境中的陶瓷零部件表层若存在缺陷(表层孔洞，键合不紧固的晶粒等)，往往会在等离子体的轰击作用下形成陶瓷颗粒，这些陶瓷颗粒可能会随气流或直接掉落在晶圆表面上，阻挡刻蚀的进行，造成该陶瓷颗粒阻挡的区域图形被部分刻蚀或者未刻蚀，从而在晶圆表面上形成缺陷(Defect),这种缺陷将直接影响芯片电性指标和芯片良率。因此，陶瓷颗粒的控制成为工艺得以量产的关键指标之一。

目前，如图1所示，上述陶瓷零部件的加工流程包括生胚加工步骤，即，对陶瓷生胚进行机械尺寸加工，在加工过程中会在生坯表面形成隆起缺陷，如局部区域陶瓷粉粒隆起等，在陶瓷生胚完成烧结形成陶瓷零部件之后，与陶瓷零部件表面距离较远的隆起陶瓷粉粒结构会形成孤立的隆起晶粒(如图2中的A区域所示)，与陶瓷零部件表面距离较近的隆起陶瓷粉粒结构会相互结合形成更大的晶粒，从而在陶瓷零部件表面形成孔洞缺陷(如图2中的B区域所示)，这些隆起晶粒和孔洞缺陷在等离子体的轰击作用下容易脱落形成陶瓷颗粒。采用现有技术制成的陶瓷零部件的表面上存在的隆起晶粒和孔洞缺陷的数量较多，导致在晶圆上产生大于几十颗的缺陷(Defect)，从而造成芯片良率较低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种陶瓷件及其制作方法，其能够减少陶瓷件表面上存在的隆起晶粒和孔洞缺陷的数量，从而可以提高芯片良率。

为实现上述目的，本发明提供了一种陶瓷件制作方法，包括：

S1、在陶瓷粉粒中加入胶黏剂，形成陶瓷生胚；

S2、对所述陶瓷生胚进行加工，以获得所需形状和尺寸；

S3、对所述陶瓷生胚的整个待处理表面进行刷扫处理，以去除所述待处理表面上存在的缺陷；

S4、对所述陶瓷生胚进行烧结，形成所述陶瓷件。

可选的，所述步骤S3包括：

S31、控制软质刷扫工具移动，同时自转，以对所述陶瓷生胚的整个待处理表面进行刷扫；

S32、控制所述软质刷扫工具单向移动，以对所述陶瓷生胚的整个待处理表面进行刷扫；

S33、采用喷淋吹扫气体的方式对所述陶瓷生胚的整个待处理表面进行单向吹扫。

可选的，所述步骤S31，包括：

S311、控制所述软质刷扫工具沿平行于所述待处理表面的第一方向移动一个单元位移量；

S312、控制所述软质刷扫工具沿与所述第一方向相互垂直的第二方向作往复移动；

交替进行所述步骤S311和步骤S312，直至所述软质刷扫工具自所述待处理表面的一侧沿所述第一方向移动至所述待处理表面的另一侧。

可选的，在所述步骤S31中，所述软质刷扫工具的自转速度的范围为500-2000rpm/min。

可选的，在所述步骤S31中，所述软质刷扫工具的移动速度的范围为80-200mm/min。