[发明专利]一种功率放大器的偏置电路、装置及设备有效

专利信息
申请号: 202110182211.1 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN112994629B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 彭振飞;苏强;倪旭文 申请(专利权)人: 广州慧智微电子股份有限公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20;H03F1/30
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 贾伟;张颖玲
地址: 510663 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率放大器 偏置 电路 装置 设备
【权利要求书】:

1.一种功率放大器的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路包括:第一部分电路、第二部分电路和电源;

所述电源与所述第一部分电路的电源端相连,用于为所述第一部分电路供电;

所述第一部分电路的两端与所述第二部分电路的两端并联,并联后的一端与信号放大电路中功率放大器的第一晶体管的栅极相连;所述第一部分电路用于对所述第一晶体管的栅极提供第一偏置电压;所述第二部分电路用于对所述第一晶体管的栅极提供第二偏置电压;所述第一偏置电压和所述第二偏置电压叠加后为所述第一晶体管的栅极提供稳定的偏置电压;

所述偏置电路的阻抗位于预设阻抗范围。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,

所述第一部分电路包括:第二晶体管、第三晶体管、第一电阻和第一电容;

其中,所述第二晶体管的漏极与所述电源相连,所述第二晶体管的漏极与栅极相连;所述第二晶体管的源极与所述第二部分电路的一端相连;所述第二晶体管的栅极通过所述第一电阻与所述第三晶体管的栅极相连,还通过所述第一电容与接地端相连;

所述第三晶体管的漏极与所述电源相连,所述第三晶体管的源极与所述第二部分电路的另一端相连,还与所述第一晶体管的栅极相连。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,

所述第一部分电路还包括:第二电阻;其中,所述第二电阻为可变电阻;

所述第一电容通过所述第二电阻与接地端相连。

4.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,

所述电源包括:电流源、第一电压源和第二电压源;

所述第一电压源与所述第三晶体管的漏极相连;

所述第二电压源通过所述电流源与所述第二晶体管的漏极相连。

5.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,

所述偏置电路还包括:第三电阻;

所述第三晶体管的源极通过所述第三电阻与所述第一晶体管的栅极相连。

6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,

所述第二部分电路包括:第四晶体管、第五晶体管、第四电阻和第二电容;

所述第四晶体管的漏极与所述第一部分电路的一端相连,所述第四晶体管的源极接地;所述第四晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极相连,还通过所述第二电容与接地端相连;

所述第五晶体管的漏极通过所述第四电阻与所述第五晶体管的栅极相连,还与所述第一部分电路的另一端相连;所述第五晶体管的源极接地。

7.根据权利要求6所述的电路,其特征在于,

所述第四电阻为固定电阻及所述第二电容为固定电容;

或者,所述第四电阻为可变电阻及所述第二电容为可变电容。

8.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,

所述信号放大电路还包括:第三电容、第四电容、电感和第三电压源;

所述第一晶体管的栅极与所述第三电容的一端相连,所述第三电容的另一端作为信号输入端;所述第一晶体管的漏极通过所述电感与所述第三电压源相连,还与所述第四电容的一端相连,所述第四电容的另一端作为信号输出端;所述第一晶体管的源极接地。

9.一种功率放大装置,其特征在于,所述功率放大装置包括:功率放大器和权利要求1至8中任意一项所述的功率放大器的偏置电路。

10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:

权利要求9中所述的功率放大装置。

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