[发明专利]半导体存储器装置以及制造该半导体存储器装置的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

层叠体，所述层叠体包括多个层间绝缘层和设置在所述多个层间绝缘层之间的选择线；

芯绝缘层，所述芯绝缘层穿透所述层叠体；

半导体图案，所述半导体图案沿着所述芯绝缘层的侧壁延伸并且包括设置在所述选择线和所述芯绝缘层之间的未掺杂区域；

掺杂半导体图案，所述掺杂半导体图案设置在所述半导体图案和所述层间绝缘层之间；以及

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述半导体图案和所述选择线之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述半导体图案还包括设置在所述芯绝缘层和所述掺杂半导体图案之间的掺杂区域。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

屏障图案，所述屏障图案设置在所述栅极绝缘层和所述半导体图案之间并且延伸到所述掺杂半导体图案和所述半导体图案之间的空间。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述未掺杂区域延伸到所述芯绝缘层和所述掺杂半导体图案之间的空间。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述屏障图案的厚度小于所述半导体图案的厚度和每个所述掺杂半导体图案的厚度。

6.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述屏障图案的厚度小于所述栅极绝缘层的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

覆盖图案，所述覆盖图案与所述芯绝缘层交叠，

其中，所述半导体图案延伸以围绕所述覆盖图案的侧壁。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述覆盖图案包括掺杂有与所述掺杂半导体图案相同类型的掺杂剂的半导体材料。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述半导体图案包括围绕所述覆盖图案的侧壁的掺杂区域。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述半导体图案沿着所述芯绝缘层的底表面延伸。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述选择线是漏极选择线。

12.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

第一层叠体，所述第一层叠体包括在层叠方向上交替地设置的第一层间绝缘层和第一导电图案；

第一沟道结构，所述第一沟道结构穿透所述第一层叠体；

第二层叠体，所述第二层叠体与所述第一层叠体交叠并且包括在所述层叠方向上层叠的多个第二层间绝缘层和设置在所述多个第二层间绝缘层之间的第二导电图案；

第二沟道结构，所述第二沟道结构穿透所述第二层叠体以与所述第一沟道结构接触；以及

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述第二沟道结构和所述第二导电图案之间，

其中，所述第二沟道结构包括：

半导体图案，所述半导体图案包括被所述栅极绝缘层围绕的未掺杂区域并且穿透所述第二层叠体；以及

多个掺杂半导体图案，所述多个掺杂半导体图案设置在所述半导体图案和所述第二层间绝缘层之间并且通过所述栅极绝缘层彼此分离。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，所述第一沟道结构包括：

第一芯绝缘层，所述第一芯绝缘层穿透所述第一层叠体；以及

第一沟道层，所述第一沟道层围绕所述第一芯绝缘层的侧壁。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道结构延伸到所述第一芯绝缘层的内部并且与所述第一沟道层接触。