[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在审
申请号: | 202110184602.7 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN112992998A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 刘文祺;王涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 杜秀科;高莺然 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
本公开实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。显示面板包括对合连接的阵列基板和滤光基板,阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板靠近滤光基板的一侧的开关器件层,位于开关器件层靠近滤光基板的一侧的像素界定层和发光器件层,以及覆盖像素界定层和发光器件层的封装层,发光器件层包括被像素界定层间隔的多个发光器件,封装层包括至少一个第一膜层,且最靠近滤光基板的第一膜层为第一无机层;滤光基板包括透明盖板、位于透明盖板靠近阵列基板的一侧的滤光层,以及位于滤光层靠近阵列基板的一侧的第二无机层,滤光层包括遮光矩阵以及在遮光矩阵的每个透光区内设置的彩色光阻,第二无机层为平坦层且与第一无机层键合连接。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。
背景技术
由于具有自发光、对比度高、视角宽、功耗低、响应速度快以及制造成本低等一系列优异特性,有机发光器件(例如有机发光二极管,OrganicLight-Emitting Diode,简称OLED)作为新一代显示装置的基础,受到越来越多的关注。
而如何提高有机发光显示装置的显示品质和产品良率,一直是本领域技术人员开发的重点。
发明内容
本公开实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,以改善显示装置的色偏现象,提高产品的良率。
根据本公开实施例的一个方面,提供一种显示面板,包括对合连接的阵列基板和滤光基板,其中:
阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板靠近滤光基板的一侧的开关器件层,位于开关器件层靠近滤光基板的一侧的像素界定层和发光器件层,以及覆盖像素界定层和发光器件层的封装层,其中,发光器件层包括被像素界定层间隔的多个发光器件,封装层包括至少一个第一膜层,且最靠近滤光基板的第一膜层为第一无机层;
滤光基板包括透明盖板、位于透明盖板靠近阵列基板的一侧的滤光层,以及位于滤光层靠近阵列基板的一侧的第二无机层,其中,滤光层包括遮光矩阵以及在遮光矩阵的每个透光区内设置的彩色光阻,每个彩色光阻与一个发光器件相对,第二无机层为平坦层且与第一无机层键合连接。
在一些实施例中,滤光基板还包括位于透明盖板与滤光层之间的第三无机层,第二无机层曝露出第三无机层的周边部分,第三无机层的周边部分与第一无机层的周边部分键合连接。
在一些实施例中,第一无机层、第二无机层和第三无机层的材料分别包括碳氮化硅。
在一些实施例中,第三无机层包括多个第二膜层,多个第二膜层的折射率沿靠近阵列基板的方向依次减小,或者,多个第二膜层包括交替排布的折射率为n1的第二膜层和折射率为n2的第二膜层,其中,n1/n2大于等于1.4,且小于等于1.8。
在一些实施例中,第三无机层包括多个光栅结构,每个光栅结构与一个彩色光阻相对,且每个光栅结构的周期与相对的彩色光阻的颜色匹配设置。
在一些实施例中,每个光栅结构为一维光栅结构或二维光栅结构;和/或,每个光栅结构为可见光分布波段刻蚀衍射光栅或宽波段投射式纳米光栅。
在一些实施例中,滤光基板还包括位于透明盖板与第三无机层之间的金属纳米阵列层,金属纳米阵列层包括多个纳米孔阵列,每个纳米孔阵列与一个彩色光阻相对,且每个纳米孔阵列所包含的多个纳米孔的排布密度与相对的彩色光阻的颜色匹配设置。
在一些实施例中,滤光基板还包括位于滤光层与第二无机层之间的透镜层,透镜层包括多个透镜,每个透镜在透明盖板上的正投影与一个彩色光阻在透明盖板上的正投影部分交叠,或者,每个透镜在透明盖板上的正投影位于一个彩色光阻在透明盖板上的正投影内。
在一些实施例中,阵列基板还包括位于像素界定层靠近滤光基板的一侧的支撑层;和/或,封装层包括至少两个无机材料的第一膜层,至少两个无机材料的第一膜层的折射率沿靠近滤光基板的方向依次增大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的