[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202110186790.7 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN113540133A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 李冈勋;罗承柱;郑熙根;赵万根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李敬文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
衬底,具有彼此面对的第一表面和第二表面;
隔离图案,在所述衬底中限定多个像素区;
多个接触插塞,在所述衬底的所述第一表面上并且耦接到所述隔离图案;以及
多个第一微透镜图案,在所述衬底的所述第二表面上;
其中,所述接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞,
其中,所述隔离图案的一部分延伸跨过所述衬底中的第一区和第二区,
其中,所述第一区与所述第一接触插塞竖直重叠,并且
其中,所述第二区与所述第二接触插塞竖直重叠。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,当在平面图中观察时,所述第一接触插塞处于由所述第一微透镜图案中的四个相邻的第一微透镜图案的中心点包围的区域中。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
布线结构,在所述衬底的所述第一表面上并且耦接到所述接触插塞;
焊盘端子,在所述衬底的所述第二表面上;以及
导电图案,所述导电图案穿透所述衬底并且耦接到所述焊盘端子,
其中,所述布线结构通过所述导电图案电连接到所述焊盘端子。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述隔离图案包括:
多个第一部分,所述多个第一部分中的每一个第一部分具有平行于平面图中的第一方向的主轴;
第二部分,具有平行于与所述第一方向不同的第二方向的主轴;以及
多个交叉部分,在所述第一部分与所述第二部分相交的相应部分处,
其中,所述接触插塞与所述隔离图案的相应的交叉部分接触。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,
其中,所述接触插塞具有与所述隔离图案接触的底表面,
其中,所述接触插塞的所述底表面在第三方向上的宽度小于所述交叉部分的顶表面在所述第三方向上的宽度,
其中,所述接触插塞的所述底表面在所述第一方向上的宽度大于所述第二部分的顶表面在所述第一方向上的宽度,
其中,所述第一方向平行于所述衬底的所述第一表面,并且
其中,所述第三方向平行于所述衬底的所述第一表面并且与所述第一方向和所述第二方向交叉。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述衬底包括由所述隔离图案限定的第一聚焦像素区和第二聚焦像素区,
其中,所述隔离图案包括:
第一部分,在所述第一聚焦像素区和所述像素区之间;以及
第二部分,在所述第一聚焦像素区和所述第二聚焦像素区之间;并且
其中,所述接触插塞不在所述隔离图案的所述第二部分上。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,还包括:
第二微透镜图案,在所述衬底的所述第二表面上,
其中,所述第二微透镜图案与所述第一聚焦像素区、所述第二聚焦像素区和所述隔离图案的所述第二部分重叠。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述衬底包括多个像素组,所述多个像素组中的每一个像素组包括所述像素区中的多个像素区,
其中,所述隔离图案包括所述像素组之间的多个第一部分和所述像素组中的多个第二部分,
其中,所述接触插塞不在所述第二部分上,并且
其中,所述接触插塞与所述第一部分接触。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,
其中,所述多个像素组包括第一像素组,
其中,所述图像传感器还包括所述衬底的所述第二表面上的所述第一像素组上的滤色器,并且
其中,所述滤色器与包括在所述第一像素组中的多个像素区重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的