[发明专利]图像传感器

说明书

公开了一种图像传感器，包括：衬底，该衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，该隔离图案在衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在衬底的第一表面上并且耦接到隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在衬底的第二表面上。该接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞。该隔离图案的一部分延伸以跨过衬底中的第一区和第二区。第一区与第一接触插塞竖直重叠。第二区与第二接触插塞竖直重叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年4月22日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请号10-2020-0048593的优先权，其公开内容由此通过引用全部并入。

技术领域

本发明构思涉及一种图像传感器，更具体地，涉及包括接触插塞的图像传感器。

背景技术

图像传感器是用于将光学图像转换成电信号的器件。图像传感器可以被分类为电荷耦合器件(CCD)类型和互补金属氧化物半导体(CMOS)类型。将CMOS类型的图像传感器缩写为CIS(CMOS图像传感器)。CIS具有多个二维布置的像素。每一个像素包括光电二极管。光电二极管用于将入射光转换成电信号。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有改善的图像质量的图像传感器。

本发明构思的目的不限于上述内容，并且从以下描述中，本领域技术人员将清楚地理解上面未提及的其他目的。

根据本发明构思的一些示例实施例，图像传感器可以包括：衬底，具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，在所述衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在所述衬底的所述第一表面上并且耦接到所述隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在所述衬底的所述第二表面上。所述接触插塞可以包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞。所述隔离图案的一部分可以延伸跨过所述衬底中的第一区和第二区。所述第一区可以与所述第一接触插塞竖直重叠。所述第二区可以与所述第二接触插塞竖直重叠。

根据本发明构思的一些示例实施例，图像传感器可以包括：衬底，具有像素阵列区和焊盘区，所述焊盘区在平面图中包围所述像素阵列区，所述像素阵列区包括多个像素区；焊盘端子，在所述衬底的所述焊盘区处并且在所述衬底的第二表面上；导电图案，在所述衬底的所述焊盘区处，所述导电图案穿透所述衬底并且耦接到所述焊盘端子；多个微透镜图案，在所述衬底的所述像素阵列区处并且在所述衬底的所述第二表面上；所述衬底中的隔离图案，所述隔离图案限定所述像素区；接触插塞，在所述衬底的所述像素阵列区处并且在所述衬底的第一表面上，所述接触插塞耦接到所述隔离图案；以及布线结构，在所述衬底的所述第一表面上，所述布线结构电连接到所述接触插塞和所述导电图案。所述衬底的所述第二表面可以位于与所述衬底的所述第一表面相对的位置处。

根据本发明构思的一些示例实施例，图像传感器可以包括：衬底，具有像素阵列区、光学黑体区和焊盘区，所述光学黑体区被设置在所述像素阵列区和所述焊盘区之间；焊盘端子，在所述衬底的所述焊盘区处并且在所述衬底的第二表面上；导电图案，在所述衬底的所述焊盘区处，所述导电图案穿透所述衬底并且耦接到所述焊盘端子；光屏蔽图案，在所述衬底的所述光学黑体区处并且在所述衬底的所述第二表面上；多个微透镜图案，在所述衬底的所述像素阵列区处并且在所述衬底的所述第二表面上；多个滤色器，在所述衬底的所述像素阵列区处，并且在所述衬底的所述第二表面和所述微透镜图案之间；多个光电转换区，在所述衬底中并且在所述衬底的所述像素阵列区处；第一隔离图案，在所述衬底的所述像素阵列区处，并且在衬底中位于所述光电转换区之间；第二隔离图案，在所述第一隔离图案和所述衬底之间；多个接触插塞，在所述衬底的所述像素阵列区处并且在所述衬底的第一表面上，所述接触插塞耦接到所述第一隔离图案；栅极图案，在所述衬底的所述像素阵列区处并且在所述衬底的第一表面上；栅极接触插塞，设置在所述栅极图案上并且耦接到所述栅极图案；以及布线层，在所述衬底的所述第一表面上，所述布线层包括多个介电层和布线结构。所述栅极接触插塞可以与所述接触插塞电分离。所述接触插塞中的至少一个接触插塞可以通过所述布线结构和所述导电图案电连接到所述焊盘端子。