[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在所述第一表面与所述第二表面之间的外侧表面，所述芯构件具有将所述第一表面与所述第二表面连接的通孔，具有从所述外侧表面突出的突出部分，并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度(Ra)；

再分布衬底，在所述芯构件的所述第一表面上，并且包括再分布层；

半导体芯片，在所述再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至所述再分布层的接触焊盘；以及

密封物，在所述再分布衬底上并且覆盖所述半导体芯片和所述芯构件，所述芯构件的所述突出部分具有暴露于所述密封物的侧表面的表面。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述突出部分的暴露表面与所述密封物的侧表面基本上共面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述芯构件的所述外侧表面包括四个外侧表面，并且

所述突出部分包括多个突出部分，所述多个突出部分中的一个或多个设置在所述四个外侧表面中的每一个上。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述多个突出部分在所述四个外侧表面中的每一个上按间隔设置两个或更多个。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述突出部分具有从所述芯构件的第二表面延伸的平坦的上表面，并且所述芯构件的下表面具有从所述第一表面凹进的表面。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述突出部分的下表面具有凹入的弯曲表面。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述芯构件包括金属框架和镀覆层，所述镀覆层在所述金属框架的除了所述突出部分的暴露表面之外的表面上，并且所述表面粗糙度由所述镀覆层提供。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述金属框架包括Fe-Ni合金，并且所述镀覆层包括铜镀覆层。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述芯构件的厚度大于所述半导体芯片的厚度。

10.一种半导体封装，包括：

再分布衬底，包括再分布层；

半导体芯片，在所述再分布衬底上，并具有电连接至所述再分布层的接触焊盘；

芯构件，在所述再分布衬底上，所述芯构件具有从外侧表面突出的突出部分并具有容纳所述半导体芯片的通孔，其中，由所述外侧表面限定的面积小于所述再分布衬底的面积；以及

密封物，在所述再分布衬底上，覆盖所述半导体芯片和所述芯构件并且具有暴露所述突出部分的表面的侧表面。

11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，所述突出部分的暴露表面与所述密封物的侧表面基本上共面。

12.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，所述芯构件包括：

金属框架，具有所述突出部分，并且

镀覆层，在所述金属框架的表面上并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度(Ra)。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述镀覆层在所述金属框架的除了暴露表面之外的整个表面上。

14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述芯构件和所述密封物具有0.4kgf/cm或以上的剥离强度。

15.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，

所述芯构件的外侧表面具有多个外侧表面，并且

所述突出部分包括多个突出部分，所述多个突出部分在所述多个外侧表面中的每一个上设置成一个或多个。