[发明专利]半导体封装

说明书

公开了一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面，芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。

相关申请的交叉引用

于2020年2月20日在韩国知识产权局提交的题为“半导体封装(SemiconductorPackage)”的韩国专利申请No.10-2020-0021231通过引用整体并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种半导体封装。

背景技术

近来，随着半导体芯片的高性能，对具有提高的刚性和散热特性的半导体封装的关注增加。

发明内容

实施例涉及一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在所述第一表面与所述第二表面之间的外侧表面，所述芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，具有从所述外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度(Ra)；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在所述再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖所述半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。

示例实施例还涉及一种半导体封装，该半导体封装包括：再分布衬底，具有再分布层；半导体芯片，在所述再分布衬底上，并具有电连接至所述再分布层的接触焊盘；芯构件，在所述再分布衬底上，芯构件具有从外侧表面突出的突出部分并具有容纳所述半导体芯片的通孔，其中，由外侧表面限定的面积小于再分布衬底的面积；以及密封物，在再分布衬底上，覆盖半导体芯片和芯构件并且具有暴露突出部分的表面的侧表面。

示例实施例还涉及一种半导体封装，包括：再分布衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括绝缘构件和在绝缘构件上的再分布层，再分布层具有分别设置在绝缘构件的多个水平上的再分布图案并且具有分别连接至多个再分布图案的多个再分布过孔；芯构件，在再分布衬底的第一表面上，芯构件具有金属框架，金属框架包括通孔、和具有突出部分的外侧表面，并且所述芯构件具有在金属框架的表面上具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra的镀覆层，芯构件的由芯构件的外侧表面围绕的面积小于再分布衬底的面积；半导体芯片，在所述再分布衬底的第一表面上在所述通孔中，并且具有通过再分布过孔而电连接至所述再分布层的接触焊盘，所述接触焊盘与所述再分布衬底的第一表面相邻；密封物，在再分布衬底的第一表面上，覆盖半导体芯片和芯构件，密封物包括与绝缘构件的绝缘树脂不同的绝缘树脂，并且具有暴露突出部分的表面的侧表面；以及下凸块金属，在再分布衬底的第二表面上，并电连接至再分布层。突出部分可以具有从芯构件的上表面延伸的平坦的上表面、和从芯构件的下表面凹进的下表面。

附图说明

通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：

图1是示出根据示例实施例的半导体封装的平面图；

图2A至图2B是分别沿截面I1-I1’和I2-I2’的图1的半导体封装的侧截面图；

图3是示出图1的半导体封装的外侧表面视图；

图4A、图5A、图6A和图7A是用于描述根据示例实施例的制造半导体封装的方法中的形成芯构件的工艺的主要工艺的平面图；

图4B、图5B、图6B和图7B分别是图4A、图5A、图6A和图7A的金属框架(或框架阵列)沿截面II1-II1’的截面图；