[发明专利]具有标记结构的三维存储器、其制备方法及位移监测方法

权利要求书

1.一种具有标记结构的三维存储器，其特征在于：

所述三维存储器包括衬底、位于所述衬底上的第一堆叠结构以及位于所述第一堆叠结构上的第二堆叠结构；

所述三维存储器设有接触区以及邻接所述接触区的台阶区；

所述接触区内设有贯穿所述第一堆叠结构的第一存储沟道和贯穿所述第二堆叠结构的第二存储沟道，所述第二存储沟道与所述第一存储沟道连接；

在所述台阶区内的所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构之间设有伪堆叠结构，在所述伪堆叠结构中设有标记结构。

2.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：在所述接触区内的所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构之间设有粘结层；所述粘结层的顶面与所述伪堆叠结构的顶面共面。

3.根据权利要求2所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述粘结层与所述伪堆叠结构的厚度相同。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述伪堆叠结构的厚度为80～120nm。

5.根据权利要求2所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述粘结层的材料为氧化物。

6.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述标记结构内嵌于所述伪堆叠结构中，所述标记结构的顶面与所述伪堆叠结构的顶面共面。

7.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述标记结构的材料为氧化物。

8.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述台阶区设有城墙结构，所述标记结构至少部分设置于所述城墙结构在垂直于所述衬底方向上的投影区域内。

9.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述台阶区设有城墙结构，所述标记结构至少部分设置于未被所述城墙结构覆盖的区域。

10.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述第一堆叠结构、所述第二堆叠结构和所述伪堆叠结构均包括交替堆叠的导电层和介质层。

11.一种具有标记结构的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在衬底上形成第一堆叠介质结构；

在所述第一堆叠介质结构上形成伪堆叠介质结构；

定义接触区与台阶区，在所述台阶区内的所述伪堆叠介质结构中制作标记结构图案；

在所述台阶区的所述伪堆叠介质结构中形成标记结构；

在所述接触区形成贯穿所述第一堆叠介质结构的第一存储沟道；

在所述伪堆叠介质结构上形成第二堆叠介质结构；

在所述接触区形成贯穿所述第二堆叠介质结构的第二存储沟道，所述第二存储沟道与所述第一存储沟道连接；

在所述台阶区形成台阶结构。

12.根据权利要求11所述的具有标记结构的三维存储器的制备方法，其特征在于：所述第一堆叠介质结构、所述第二堆叠介质结构以及所述伪堆叠介质结构均由牺牲层和介质层交替堆叠形成；所述制备方法还包括步骤：将所述牺牲层去除，并在所述牺牲层的位置形成导电层，以形成第一堆叠结构、第二堆叠结构以及伪堆叠结构；所述第一堆叠结构、所述第二堆叠结构和所述伪堆叠结构均包括交替堆叠的所述导电层和所述介质层。

13.根据权利要求11所述的具有标记结构的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括步骤：去除所述接触区内的所述伪堆叠介质结构，并在所述接触区内形成粘结层。