[发明专利]具有标记结构的三维存储器、其制备方法及位移监测方法

说明书

本发明提供一种具有标记结构的三维存储器、其制备方法以及利用所述标记结构监测台阶位移的方法。所述三维存储器包括衬底、位于衬底上的第一堆叠结构以及位于第一堆叠结构上的第二堆叠结构；三维存储器设有接触区以及邻接接触区的台阶区；接触区内设有贯穿第一堆叠结构的第一存储沟道和贯穿第二堆叠结构的第二存储沟道，第二存储沟道与第一存储沟道连接；在台阶区内的第一堆叠结构与第二堆叠结构之间设有伪堆叠结构，在伪堆叠结构中设有标记结构。本发明中的标记结构制作在伪堆叠结构中，不会因后续工艺发生位置漂移，标记结构与粘结层的制作可以同时进行，不用额外增加制程，缩短了器件制造的生产周期。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种具有标记结构的三维存储器、其制备方法以及利用标记结构的三维存储器的台阶位移监测方法。

背景技术

在三维存储器中，存储阵列可分为核心区(Core)和台阶区(Staircasestructure，SS)。台阶区通常位于核心区的周缘，用于引出存储阵列的各层栅极层。这些栅极层作为存储阵列的字线，执行编程、擦写、读取等操作。在三维存储器的制作过程中，通过刻蚀形成接触孔，然后填充接触孔，从而引出台阶区上各级台阶的栅极层的电信号。

随着三维存储器技术的快速发展，存储阵列的堆叠层数不断增加，台阶区内的台阶数量也不断增加。堆叠层数的不断增加使得对台阶结构的刻蚀控制更具有挑战性。由于整个台阶区域的面积大，台阶数量多，需要在台阶区域内设置多个标记结构作为参考位置，以便于监测台阶图形的位移情况。目前的台阶区制程中，通常会先制作标记结构，然后采用城墙工艺将台阶区分割，形成不同高低的台阶。然而，刻蚀台阶或形成城墙结构的工艺会使这些标记结构发生漂移，从而影响了定位的准确度，导致监测的结果不可信。

因此，如何设计标记结构，使其不受后续工艺影响位置，对台阶区的制造非常重要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术，本发明的目的在于提供一种具有标记结构的三维存储器、其制备方法及位移监测方法，用于解决现有技术中台阶区标记结构发生漂移而导致台阶图形的位移监测结果不可信等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种具有标记结构的三维存储器，所述三维存储器包括衬底、位于所述衬底上的第一堆叠结构以及位于所述第一堆叠结构上的第二堆叠结构；

所述三维存储器设有接触区以及邻接所述接触区的台阶区；

所述接触区内设有贯穿所述第一堆叠结构的第一存储沟道和贯穿所述第二堆叠结构的第二存储沟道，所述第二存储沟道与所述第一存储沟道连接；

在所述台阶区内的所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构之间设有伪堆叠结构，在所述伪堆叠结构中设有标记结构。

可选地，在所述接触区内的所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构之间设有粘结层；所述粘结层的顶面与所述伪堆叠结构的顶面共面。

进一步可选地，所述粘结层与所述伪堆叠结构的厚度相同。

可选地，所述伪堆叠结构的厚度为80～120nm。

可选地，所述粘结层的材料为氧化物。

可选地，所述标记结构内嵌于所述伪堆叠结构中，所述标记结构的顶面与所述伪堆叠结构的顶面共面。

可选地，所述标记结构的材料为氧化物。

可选地，所述台阶区设有城墙结构，所述标记结构至少部分设置于所述城墙结构在垂直于所述衬底方向上的投影区域内。

可选地，所述台阶区设有城墙结构，所述标记结构至少部分设置于未被所述城墙结构覆盖的区域。

可选地，所述第一堆叠结构、所述第二堆叠结构和所述伪堆叠结构均包括交替堆叠的导电层和介质层。