[发明专利]判断叠对误差的方法及系统在审
申请号: | 202110190066.1 | 申请日: | 2021-02-18 |
公开(公告)号: | CN113311668A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 谢鸿志;陈彦良 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 判断 误差 方法 系统 | ||
本公开涉及一种判断叠对误差的方法及系统,包括在一基板上方设置参考图案模块。上述基板包括位在第一及第二位置的第一及第二叠对测量图案。参考图案模块包括第一及第二参考图案。上述方法包括创建第一参考图案与第一叠对测量图案的第一重叠,以及创建第二参考图案与第二叠对测量图案的第二重叠。上述方法还包括判断参考图案模块的第一参考图案与基板的第一叠对测量图案之间的第一叠对误差,以及判断第二参考图案与第二叠对测量图案之间的第二叠对误差。上述方法亦基于第一及第二叠对误差,判断基板的第一与第二叠对测量图案之间的整体叠对误差。
技术领域
本公开涉及一种判断叠对误差的方法,特别涉及一种利用参考图案模块以判断叠对误差的方法。
背景技术
随着半导体工业为了追求更高的装置密度而向纳米技术制程节点发展,减少微影(lithography)操作中的光阻(photo resist)布局图案与下方的布局图案的叠对误差(overlay error)已成为重要的议题之一。因此,需要一种有效的方法,能够精确地判断光阻布局图案与其中一个下方布局图案之间的叠对误差。
发明内容
本公开实施例提供一种测量叠对误差的方法。上述方法包括在一基板上方设置参考图案模块。上述基板包括位在第一位置的第一叠对测量图案,以及位在第二位置且与第一叠对测量图案分隔的第二叠对测量图案。参考图案模块包括第一参考图案以及与第一参考图案分隔的第二参考图案。上述方法包括至少创建第一参考图案与参考图案模块下方的第一叠对测量图案的第一部分重叠,并在创建第一部分重叠的同时,至少创建第二参考图案与参考图案模块下方的第二叠对测量图案的第二部分重叠。上述方法还包括判断参考图案模块的第一参考图案与基板的第一叠对测量图案之间的第一叠对误差、判断参考图案模块的第二参考图案与基板的第二叠对测量图案之间的第二叠对误差、以及基于第一叠对误差及第二叠对误差,判断基板的第一叠对测量图案与第二叠对测量图案之间的整体叠对误差。
本公开实施例提供一种测量叠对误差的方法。上述方法包括对接收自参考图案模块的第一参考图案以及接收自一基板的第一薄层的第一位置中的第一叠对测量图案的第一绕射光组合执行第一分析,以判断参考图案模块的第一参考图案与上述基板的第一叠对测量图案之间的第一叠对误差。上述方法亦包括对接收自参考图案模块的第二参考图案以及接收自上述基板的第二薄层的第二位置中的第二叠对测量图案的第二绕射光组合执行第二分析,以判断参考图案模块的第二参考图案与上述基板的第二叠对测量图案之间的第二叠对误差。上述方法还包括基于第一叠对误差及第二叠对误差,判断第一叠对测量图案与第二叠对测量图案之间的整体叠对误差。
本公开实施例提供一种用于判断叠对误差的系统。上述系统包括主控制器以及设置于一基板上方的参考图案模块,上述基板包括位于上述基板的第一位置中的第一叠对测量图案,以及包括位于上述基板的第二位置中的第二叠对测量图案。上述系统包括耦接至主控制器的分析仪模块。分析仪模块接收第一参考图案及第二参考图案。上述系统包括耦接至主控制器的布局产生器,且被配置以经由主控制器自分析仪模块接收第一参考图案和第二参考图案,以及接收第一参考图案与第二参考图案之间的一偏移。上述布局产生器还耦接至参考图案模块,并在参考图案模块中产生第一参考图案及第二参考图案。上述系统包括耦接至主控制器的载台控制器以控制上述基板的移动,以及包括光学系统,光学系统包括一或多个光源且耦接至主控制器。上述一或多个光源产生第一光束以照射参考图案模块的第一参考图案与照射上述基板的第一叠对测量图案。上述一或多个光源产生第二光束以照射参考图案模块的第二参考图案与照射上述基板的第二叠对测量图案。上述光学系统亦包括一或多个光检测器,上述一或多个光检测器接收来自第一叠对测量图案与第一参考图案的第一绕射光组合,以及接收来自第二叠对测量图案与第二参考图案的第二绕射光组合。分析仪模块亦接收与第一绕射光组合有关的检测信号,以判断参考图案模块的第一参考图案与上述基板的第一叠对测量图案之间的第一叠对误差,以及接收与第二绕射光组合有关的检测信号,以判断参考图案模块的第二参考图案与上述基板的第二叠对测量图案之间的第二叠对误差。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110190066.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于具有热界面材料的封装的保护帽
- 下一篇:智能半导体开关