[发明专利]溅镀标靶部件、溅镀设备及溅镀方法有效

申请号：	202110191228.3	申请日：	2021-02-19
公开（公告）号：	CN113265632B	公开（公告）日：	2023-05-30
发明（设计）人：	鍾承芳;郑文正;杨博文;何明杰;吕彦姿;邓承翊	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	C23C14/35	分类号：	C23C14/35;C23C14/54
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	溅镀标靶部件设备方法
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【说明书】：

一种溅镀标靶部件、溅镀设备及溅镀方法，该标靶部件包括：一背板，其具有形成于其中的一孔隙；及一标靶，其粘结至该背板的一前表面。该孔隙设置于该背板上，以使得该孔隙的一第一末端由该标靶的一部分密封，该部分由一溅镀标靶侵蚀轮廓预测为在一对应的溅镀制程期间具有一最高蚀刻速率。

技术领域

本揭露是有关于一种溅镀标靶部件、溅镀设备及溅镀方法。

背景技术

溅镀沉积是用于通过将来自标靶或源材料的材料射出至基板(诸如硅晶圆)上来形成薄膜的物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)方法。可控制或更改广泛多种参数以便控制并操纵使用溅镀沉积形成材料的方式。控制溅镀沉积的广泛多种参数的可用性导致复杂的制程，但亦允许专家对使用此类技术沉积的膜的成长及微结构进行更精细的控制。

发明内容

一种溅镀标靶部件包含：背板以及一标靶。背板具有形成于其中的孔隙。标靶粘结至背板的前表面。孔隙设置于背板上，以使得孔隙的第一末端由标靶的部分密封。此部分由溅镀标靶侵蚀轮廓预测为在对应的溅镀制程期间具有最高蚀刻速率。

一种溅镀设备包含：沉积室、磁控管、以及溅镀标靶部件。溅镀标靶部件设置于磁控管与沉积室之间。溅镀标靶部件包含：背板以及标靶。背板具有形成于其中的一孔隙。标靶粘结至背板的前表面。其中孔隙设置于背板上，以使得孔隙的第一末端由标靶的部分密封。此部分由溅镀标靶侵蚀轮廓预测为在对应的溅镀制程期间具有最高蚀刻速率。

一种溅镀方法包含：将溅镀标靶部件插入至溅镀设备的沉积室中，溅镀标靶部件包含：背板以及标靶，背板具有形成于其中的孔隙，标靶粘结该背板的前表面；其中孔隙设置于背板上，以使得孔隙的第一末端由标靶的部分密封，此部分由溅镀标靶侵蚀轮廓预测为在对应的溅镀制程期间具有最高蚀刻速率；溅镀标靶；监测溅镀设备内的溅镀条件；判定是否侦测到所监测溅镀条件的波动；以及回应于判定侦测到所监测溅镀条件的波动而停止对标靶的溅镀。

附图说明

当结合随附附图来阅读时，根据以下详细描述将最好地理解本揭露的态样。应注意，根据业内的标准做法，并未按比例绘制各种特征。事实上，为了论述的清楚起见，任意地扩大或缩小各种特征的尺寸。

图1例示对已知溅镀标靶部件的溅镀；

图2A是根据本揭露的各种实施例的溅镀设备的示意图；

图2B及图2C是可包括在图2A的溅镀设备中的标靶部件的横截面视图；

图3例示根据本揭露的各种实施例的使用图2A的溅镀设备对标靶部件的溅镀的示意图；

图4是根据本揭露的各种实施例的溅镀方法的制程流程图。

【符号说明】

10:溅镀标靶部件

12:背板

14:标靶

20:基板