[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

衬底，其包含第一区域、第二区域及多个块区域，所述第一区域及所述第二区域沿第一方向布置，所述块区域被提供为沿所述第一方向延伸，且所述块区域沿与所述第一方向相交的第二方向布置；

多个第一构件，其被提供为沿所述第一方向延伸，所述第一构件中的每一者经布置在所述块区域之间的边界部分处；

多个第一导电层，其沿与所述第一方向及所述第二方向相交的第三方向布置且被提供为彼此分离，所述第一导电层被所述第一构件分割；

多个第一柱，其被提供在其中所述第一区域与所述块区域重叠的区域中，以沿所述第三方向穿透所述第一导电层；及

多个第二柱，其被提供在其中所述第二区域与所述块区域重叠的区域中，以沿所述第三方向穿透所述第一导电层，其中

所述第二区域包含其中所述第二柱周期性地布置在与所述块区域中的至少一个块区域重叠的区域中的第一子区域，且

在所述第一子区域中，从周期性地布置的所述第二柱省略至少一个第二柱。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第二区域包含其中在分别与所述块区域重叠的区域中的每一者中省略至少一个第二柱的所述第一子区域。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第一子区域包含布置在多边形形状的相应顶点处的所述第二柱，且

在被布置在相应顶点处的所述第二柱包围的区域中省略一个第二柱。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第一子区域包含布置在六边形形状的相应顶点处的六个第二柱，且

在被布置在相应顶点处的所述六个第二柱包围的区域中省略一个第二柱。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第一子区域包含布置在多边形形状的相应顶点处的所述第二柱，且

在被布置在相应顶点处的所述第二柱包围的区域中省略两个连续第二柱。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

其中所述第二区域与所述块区域中的至少一个块区域重叠的区域包含与所述第一子区域不同的第二子区域，

所述第二子区域包含第二构件、第三构件、多个绝缘层及第一接触件，所述第二构件及所述第三构件沿所述第二方向布置以与所述第一构件分离，所述第二构件及所述第三构件中的每一者包含沿所述第一方向延伸的一部分，所述绝缘层沿所述第二方向布置在所述第二构件与所述第三构件之间，所述绝缘层被提供在与所述第一导电层的高度相同的高度处，且所述第一接触件被提供为沿所述第三方向穿透所述绝缘层，且

所述第二构件及所述第三构件中的每一者在所述第一导电层与所述绝缘层之间沿所述第三方向延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中

从其省略所述至少一个第二柱的一部分邻近于所述第二构件。

8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中

所述第一接触件用于耦合所述衬底与所述第一导电层之间的互连件及所述第一导电层上方的互连件。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述衬底进一步包含沿所述第二方向邻近于所述块区域的虚拟块区域，

所述第一区域在与所述虚拟块区域重叠的区域中包含其中周期性地布置含有与所述第二柱的材料相同的材料的多个相同材料柱的第三子区域，且

在所述第三子区域中，从周期性地布置的所述相同材料柱省略至少一个相同材料柱。