[发明专利]物理不可复制函数电路及其操作方法以及半导体芯片在审

专利信息
申请号: 202110191569.0 申请日: 2021-02-19
公开(公告)号: CN114978478A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 张克勤;张铭仁;赖成孝;林郁轩;连启发;林英廷;许永财 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H04L9/08 分类号: H04L9/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 徐协成
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 物理 不可 复制 函数 电路 及其 操作方法 以及 半导体 芯片
【权利要求书】:

1.一种物理不可复制函数电路的操作方法,该物理不可复制函数电路包含快闪存储器、电流比较器及控制器,该快闪存储器包含多个存储器单元,其特征在于,该方法包含:

该控制器将这些存储器单元设置在初始数据状态;

该控制器将这些存储器单元设置在该初始数据状态及该初始数据状态的相邻数据状态之间;

该电流比较器从这些存储器单元的第一区存储器单元中读取第一电流;

该电流比较器从这些存储器单元的第二区存储器单元中读取第二电流;及

该电流比较器依据该第一电流及该第二电流输出随机位。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中该感电流比较器依据该第一电流及该第二电流产生该随机位包含:若该第一电流大于该第二电流,则该感测放大器输出该随机位的第一逻辑值。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中该电流比较器依据该第一电流及该第二电流产生该随机位包含:若该第一电流小于该第二电流,则该感测放大器输出该随机位的第二逻辑值。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中该初始数据状态为最低编程状态,该相邻数据状态为抹除状态,该控制器将这些存储器单元设置在该初始数据状态及该初始数据状态的该相邻数据状态之间包含:该控制器对这些存储器单元施加弱抹除脉冲以将这些存储器单元设置在该初始数据状态及该相邻数据状态之间。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中该初始数据状态为抹除状态,该相邻数据状态为最低编程状态,该控制器将这些存储器单元设置在该初始数据状态及该初始数据状态的该相邻数据状态之间包含:该控制器对这些存储器单元施加弱编程脉冲以将这些存储器单元设置在该初始数据状态及该相邻数据状态之间。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该电流比较器为感测放大器。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该电流比较器为差动电流比较器。

8.一种物理不可复制函数电路,其特征在于,包含:

快闪存储器,包含多个存储器单元;

电流比较器,耦接在这些存储器单元的第一区存储器单元及第二区存储器单元;及

控制器,耦接在该快闪存储器及该电流比较器;

其中该控制器用以将这些存储器单元设置在初始数据状态,及将这些存储器单元设置在该初始数据状态及该初始数据状态的相邻数据状态之间;及

该电流比较器用以从该第一区存储器单元中读取第一电流,从该第二区存储器单元中读取第二电流,及依据该第一电流及该第二电流输出随机位。

9.根据权利要求8所述的物理不可复制函数电路,其特征在于,其中若该第一电流大于该第二电流,则该电流比较器输出该随机位的第一逻辑值。

10.根据权利要求8所述的物理不可复制函数电路,其特征在于,其中若该第一电流小于该第二电流,则该电流比较器输出该随机位的第二逻辑值。

11.根据权利要求8所述的物理不可复制函数电路,其特征在于,其中该初始数据状态为最低编程状态,该相邻数据状态为抹除状态,该控制器用以对这些存储器单元施加弱抹除脉冲以将这些存储器单元设置在该初始数据状态及该相邻数据状态之间。

12.根据权利要求8所述的物理不可复制函数电路,其特征在于,其中该初始数据状态为抹除状态,该相邻数据状态为最低编程状态,该控制器用以对这些存储器单元施加弱编程脉冲以将这些存储器单元设置在该初始数据状态及该相邻数据状态之间。

13.根据权利要求8所述的物理不可复制函数电路,其特征在于,该电流比较器为感测放大器。

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