[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202110191590.0 | 申请日: | 2021-02-20 |
公开(公告)号: | CN113363286A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 金廷泫;高京禄;权容焄;金柄勋;金台吾;郑昭美 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1339 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
显示面板,包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域;
封装基板,设置在所述显示面板上并且包括设置在与所述非显示区域重叠的区域中的熔化图案;
密封部件,设置在所述显示面板与所述封装基板之间,以将所述显示面板与所述封装基板联接;以及
熔合图案,设置为跨越所述密封部件和所述封装基板,
其中,所述显示面板还包括设置在所述非显示区域的至少一部分中的金属线层,
其中,所述密封部件的至少一部分设置在所述非显示区域中的所述金属线层上,
其中,所述熔化图案设置为在厚度方向上与所述金属线层重叠,以及
其中,所述熔合图案设置为在所述厚度方向上不与所述金属线层重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述熔化图案的最大宽度等于或大于所述金属线层的宽度。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述熔合图案的最大宽度等于所述熔化图案的所述最大宽度。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述熔化图案中的每个包括熔化界面和熔化区域,所述熔化区域具有与所述熔化界面外的相邻区域的晶体结构不同的晶体结构。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述熔化图案的折射率小于所述熔化界面外的所述相邻区域的折射率。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述熔化图案与所述封装基板的下表面间隔开。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述熔合图案设置为跨越所述密封部件、所述显示面板和所述封装基板,以及
所述熔合图案中的每个包括熔合区域,在所述熔合区域中,所述密封部件、所述显示面板和所述封装基板的材料熔合。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述密封部件的至少一部分在第一边界表面处直接接触所述显示面板且在第二边界表面处直接接触所述封装基板,以及
其中,在所述熔合图案中的虚拟延伸线上没有物理边界,所述虚拟延伸线从所述第一边界表面和所述第二边界表面延伸。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述熔合图案中的每个包括设置在所述显示面板中的第一部分、设置在所述密封部件中的第二部分、设置在所述封装基板中的第三部分、所述第二部分与所述密封部件之间的第三边界表面、所述第三部分与所述封装基板之间的第四边界表面、以及所述第一部分与所述显示面板之间的第五边界表面。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述熔合图案中的每个的所述第三部分包括所述密封部件的材料。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述熔合图案中的每个的所述第二部分包括所述封装基板的材料。
12.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述熔合图案的、从所述第一边界表面延伸的所述虚拟延伸线中的所述第一部分的宽度小于从所述第二边界表面延伸的所述虚拟延伸线中的所述第三部分的宽度。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述熔合图案的高度大于所述密封部件在所述厚度方向上的厚度。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述密封部件的所述厚度在从4.5μm至6μm的范围内,且所述熔合图案的所述高度在从8μm至12μm的范围内。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述熔合图案的最大宽度在从8μm至12μm的范围内,并且所述密封部件的宽度大于所述熔合图案的所述最大宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的