[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成导电部件和第一穿通停止层，其中，所述导电部件具有第一顶表面，并且其中所述第一穿通停止层具有与所述第一顶表面基本齐平的第二顶表面；

在所述第一穿通停止层上方形成电阻元件；

蚀刻穿过所述电阻元件的第一部分以形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露所述第一穿通停止层的所述第二顶表面和电阻元件的第一侧壁表面；以及

在所述第一沟槽内形成第一导电通孔，其中所述第一导电通孔接触所述电阻元件的所述第一侧壁表面。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述导电部件形成在所述半导体器件的逻辑区域内，并且其中，所述第一穿通停止层形成在所述半导体器件的电阻器区域内。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述导电部件提供了多层金属互连结构的部分。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中，所述导电部件和所述第一穿通停止层形成在所述多层金属互连结构的相同金属互连层级内。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在形成所述电阻元件之前，在所述导电部件和所述第一穿通停止层两者上形成电阻层；以及

图案化所述电阻层，以去除所述电阻层的位于所述导电部件上方的部分，并在所述第一穿通停止层上方形成电阻元件。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在形成所述电阻元件之前，形成第二穿通停止层，其中所述第二穿通停止层具有第三顶表面，所述第三顶表面与所述第一顶表面和第二顶表面基本齐平。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在形成所述第一导电通孔之前，蚀刻穿过所述电阻元件的第二部分以形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露所述第二穿通停止层的所述第三顶表面和所述电阻元件的第二侧壁表面二者；以及

在所述第二沟槽内形成第二导电通孔，其中所述第二导电通孔接触所述电阻元件的所述第二侧壁表面。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在蚀刻穿过所述电阻元件的所述第一部分之前，在所述电阻元件上方沉积介电层；

蚀刻穿过所述介电层的部分和所述电阻元件的所述第一部分二者以形成所述第一沟槽；

在所述第一沟槽内形成所述第一导电通孔；以及

在所述第一导电通孔上方的第一沟槽内形成第一导线。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在设置于衬底上方的第一介电层内形成第一穿通停止层和第二穿通停止层，其中，所述第一穿通停止层和所述第二穿通停止层基本彼此齐平；

在所述第一穿通停止层和第二穿通停止层上方沉积多个层，所述多个层包括电阻层；

形成暴露所述第一穿通停止层的第一沟槽和暴露所述第二穿通停止层的第二沟槽；以及

在所述第一沟槽内形成第一导电通孔，并在所述第二沟槽内形成第二导电通孔，其中所述第一导电通孔接触所述电阻层的第一区域，并且其中所述第二导电通孔接触所述电阻层的第二区域。

10.一种半导体器件，包括：

第一金属线；

第一穿通停止层，所述第一穿通停止层的第一顶表面与所述第一金属线的第二顶表面基本齐平；

电阻元件，设置在所述第一穿通停止层上方；以及

第一导电通孔，接触所述第一穿通停止层的所述第一顶表面和所述电阻元件的第一侧壁表面二者。