[发明专利]一种用于半导体芯片扩膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于半导体芯片扩膜的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一扩膜环、第二扩膜环和待扩晶圆，其中，第一扩膜环的内径记为d₁，第二扩膜环的内径记为d₂，待扩晶圆的外径记为d₃，且d₃＜d₂＜d₁；

将第一蓝膜固定在所述第一扩膜环上，并使第一蓝膜绷紧，再将绷紧后第一蓝膜的中心区域掏空而使第一蓝膜呈圆环形，该圆环形的内径记为d₄，且d₃＜d₄＜d₂；

将载有待扩晶圆的第二蓝膜固定在第二扩膜环上，并将待扩晶圆切割形成阵列分布的多个芯片；

沿第二扩膜环内周切割第二蓝膜，并去除第二扩膜环，获得载有芯片阵列的第二蓝膜；

将载有圆环形第一蓝膜的第一扩膜环覆盖在载有芯片阵列的第二蓝膜上，使第一扩膜环的中心与芯片阵列的中心重合，并将第一蓝膜和第二蓝膜于两者的交叠处粘结固定，获得半成品；

将半成品放置于与第一扩膜环匹配的扩膜机上扩膜，得到扩膜好的晶圆。

2.根据权利要求1所述的用于半导体芯片扩膜的制备方法，其特征在于，还包括：去除绷紧在所述第一扩膜环上的第一蓝膜边角余料。

3.根据权利要求1或2所述的用于半导体芯片扩膜的制备方法，其特征在于：所述第一扩膜环、第二扩膜环为铁环。

4.根据权利要求1所述的用于半导体芯片扩膜的制备方法，其特征在于，包括：

提供待扩晶圆，所述待扩晶圆包括相背对设置的正面和背面；

提供第二蓝膜，所述第二蓝膜粘附第二扩膜环上，且所述第二蓝膜的边缘大于所述第二扩膜环的外缘；

贴膜，将所述待扩晶圆的背面粘附于所述第二蓝膜上；

切割，由正面向其背面切割粘附有第二蓝膜的所述待扩晶圆，以将所述待扩晶圆切割成阵列分布的多个芯片，且芯片阵列粘附于第二蓝膜上。

5.根据权利要求1或4所述的用于半导体芯片扩膜的制备方法，其特征在于：采用刀片或激光对所述待扩晶圆进行切割。

6.根据权利要求5所述的用于半导体芯片扩膜的制备方法，其特征在于：所述待扩晶圆的正面设置有切割道，所述刀片或激光沿所述切割道进行切割。