[发明专利]一种用于半导体芯片扩膜的制备方法

说明书

本发明揭示了一种用于半导体芯片扩膜的制备方法，包括：提供第一扩膜环、第二扩膜环和待扩晶圆；取蓝膜固定在所述第一扩膜环上，绷紧后，并在绷好蓝膜的中心区域掏空一个大于待扩晶圆的圆环；在第二扩膜环上固定有放置待扩晶圆的第二蓝膜，并对待扩晶圆进行切割，切割好芯片后，沿第二扩膜环内四周切去多余的第二蓝膜，并去除第二扩膜环；将去除第二扩膜环的芯片放在底部，同时，将掏好圆环的第一扩膜环盖在上面，使第一扩膜环的中心与芯片中心重合，并将重叠的蓝膜和第二蓝膜进行粘结，获得半成品；将半成品放置于扩膜机上扩膜，得到扩膜好的半导体芯片。本发明提供的用于半导体芯片扩膜的制备方法，能将尺寸小的铁环扩膜到尺寸大的扩晶环。

技术领域

本发明属于半导体芯片制造技术领域，具体涉及一种用于半导体芯片扩膜的制备方法。

背景技术

半导体芯片的加工一般是将晶圆片粘贴在蓝膜上后，再对晶圆片进行激光切割或划片，使得整片被分割成一粒粒晶粒，然后，再将这些晶粒封装，做成具有功能性的IC芯片。

由于这些晶粒之间的间隔仅是切割线或刻痕线的宽度，不便于人们把晶粒从其载体上取下，就得事先将晶圆片进行扩张再取出。先行的扩膜方法是将晶圆片安装在扩膜机上，对其进行扩张，将晶粒与晶粒之间的距离扩大。

但在半导体芯片制造中，一般相同尺寸的铁环放到相同尺寸的扩膜机扩膜，大的铁环有可能放到小尺寸的扩膜机扩膜，小尺寸的铁环不可能直接放到大尺寸扩膜机扩膜。通过二次倒模的方式扩膜出现倒模掉晶、擦伤晶粒、严重排列不齐等，并且严重浪费劳动力。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种用于半导体芯片扩膜的制备方法，以克服现有技术中存在的不足。

为实现前述发明目的，本发明实施例采用的技术方案包括：

本发明实施例提供一种用于半导体芯片扩膜的制备方法，其包括：

提供第一扩膜环、第二扩膜环和待扩晶圆，其中，第一扩膜环的内径记为d₁，第二扩膜环的内径记为d₂，待扩晶圆的外径记为d₃，且d₃＜d₂＜d₁；

将第一蓝膜固定在所述第一扩膜环上，并使第一蓝膜绷紧，再将绷紧后第一蓝膜的中心区域掏空而使第一蓝膜呈圆环形，该圆环形的内径记为d₄，且d₃＜d₄＜d₂；

将载有待扩晶圆的第二蓝膜固定在第二扩膜环上，并将待扩晶圆切割形成阵列分布的多个芯片；

沿第二扩膜环内周切割第二蓝膜，并去除第二扩膜环，获得载有芯片阵列的第二蓝膜；

将载有圆环形第一蓝膜的第一扩膜环覆盖在载有芯片阵列的第二蓝膜上，使第一扩膜环的中心与芯片阵列的中心重合，并将第一蓝膜和第二蓝膜于两者的交叠处粘结固定，获得半成品；

将半成品放置于与第一扩膜环匹配的扩膜机上扩膜，得到扩膜好的晶圆。

进一步地，将载有待扩晶圆的第二蓝膜固定在第二扩膜环上，并将待扩晶圆切割形成阵列分布的多个芯片，具体包括：

提供待扩晶圆，所述待扩晶圆包括相背对设置的正面和背面；

提供第二蓝膜，所述第二蓝膜粘附第二扩膜环上，且所述第二蓝膜的边缘大于所述第二扩膜环的外缘；

贴膜，将所述待扩晶圆的背面粘附于所述第二蓝膜上；

切割，由正面向其背面切割粘附有第二蓝膜的所述待扩晶圆，以将所述待扩晶圆切割成阵列分布的多个芯片，且芯片阵列粘附于第二蓝膜上。

进一步地，采用刀片或激光对所述待扩晶圆进行切割。