[发明专利]三维存储器及其控制方法

权利要求书

1.一种三维存储器的控制方法，其特征在于，所述三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个所述存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条所述字线与每个所述存储串中相同位置的存储单元相连，所述控制方法包括：

在编程操作的预充电阶段，同时对与每个所述存储串中位于底部的至少一个虚设存储单元相连的至少一条虚设字线、与每个所述存储串的至少一个底部选择管相连的底部选择栅以及与每个所述存储串的底部相连的阵列共源极进行预充电操作；

其中，对所述至少一条虚设字线进行所述预充电操作的时间小于对所述底部选择栅和所述阵列共源极进行所述预充电操作的时间。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，对所述至少一条虚设字线进行所述预充电操作的方法包括：对所述至少一条虚设字线施加第一预充电压。

3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，对所述底部选择栅和所述阵列共源极进行所述预充电操作的方法包括：对所述底部选择栅施加与所述第一预充电压不同的第二预充电压，以及对所述阵列共源极施加与所述第一预充电压和所述第二预充电压不同的第三预充电压。

4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第一预充电压的持续时间小于所述第二预充电压或所述第三预充电压的持续时间。

5.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述第一预充电压的大小为2-3V，和/或所述第一预充电压的持续时间为5-10μs。

6.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第二预充电压的大小为5-6V，和/或所述第二预充电压的持续时间为10-20μs。

7.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第三预充电压的大小为1-3V，和/或所述第三预充电压的持续时间为10-20μs。

8.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第二预充电压的持续时间小于所述第三预充电压的持续时间。

9.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第一预充电压的持续时间为所述第三预充电压的持续时间的75％至80％。

10.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述编程为反向编程。

11.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个所述存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条所述字线与每个所述存储串中相同位置的存储单元相连，所述三维存储器还包括：

控制电路，配置为在编程操作的预充电阶段，同时对与每个所述存储串中位于底部的至少一个虚设存储单元相连的至少一条虚设字线、与每个所述存储串的至少一个底部选择管相连的底部选择栅以及与每个所述存储串的底部相连的阵列共源极进行预充电操作；

其中，对所述至少一条虚设字线进行所述预充电操作的时间小于对所述底部选择栅和所述阵列共源极进行所述预充电操作的时间。

12.根据权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，所述控制电路对所述至少一条虚设字线进行所述预充电操作的方法包括：对所述至少一条虚设字线施加第一预充电压。

13.根据权利要求12所述的三维存储器，其特征在于，所述控制电路对所述底部选择栅和所述阵列共源极进行所述预充电操作的方法分别包括：对所述底部选择栅施加与所述第一预充电压不同的第二预充电压，以及对所述阵列共源极施加与所述第一预充电压和所述第二预充电压不同的第三预充电压。

14.根据权利要求13所述的三维存储器，其特征在于，所述第一预充电压的持续时间小于所述第二预充电压或所述第三预充电压的持续时间。