[发明专利]算术电路在审

专利信息
申请号: 202110193613.1 申请日: 2021-02-20
公开(公告)号: CN113778374A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 金昌铉 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F7/485 分类号: G06F7/485
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;阮爱青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 算术 电路
【权利要求书】:

1.一种算术电路,包括:

算术驱动电路,其被配置为基于第一算术目标值和第二算术目标值以及低借位数字值来产生算术结果值;以及

检测电路,其被配置为基于作为反馈而接收到的所述算术结果值、所述第二算术目标值和所述算术驱动电路的中间结果值来检测是否出现高借位数字值。

2.根据权利要求1所述的算术电路,其中:

所述第一算术目标值包括被减数值;以及

所述第二算术目标值包括减数值。

3.根据权利要求1所述的算术电路,其中,所述算术驱动电路包括:

异或非XNOR门电路,其被配置为接收所述第一算术目标值和所述第二算术目标值并通过对所述第一算术目标值和所述第二算术目标值执行异或非逻辑运算来输出作为所述中间结果值的第一中间结果值;

异或XOR门电路,其被配置为接收所述第一中间结果值和所述低借位数字值并通过对所述第一中间结果值和所述低借位数字值执行异或逻辑运算来输出输出值;以及

算术输出电路,其被配置为接收所述异或门电路的输出值并通过对接收到的输出值进行反相来输出所述算术结果值。

4.根据权利要求3所述的算术电路,其中,所述异或非门电路包括:

第一反相电路,其被配置为接收所述第二算术目标值并且通过对接收到的第二算术目标值进行反相来输出输出值;以及

第一比较电路,其被配置为通过将所述第一反相电路的输出值与所述第一算术目标值和所述第二算术目标值进行逻辑比较来输出所述第一中间结果值。

5.根据权利要求4所述的算术电路,其中,所述异或门电路包括:

第二反相电路,其被配置为接收所述第一中间结果值并通过对接收到的第一中间结果值进行反相来输出第二中间结果值;以及

第二比较电路,其被配置为通过将所述第一中间结果值和所述第二中间结果值与所述低借位数字值进行逻辑比较来输出结果值。

6.根据权利要求1所述的算术电路,其中,所述检测电路包括:

第一输入电路,其被配置为接收所述第二算术目标值,并通过对接收到的第二算术目标值进行反相来输出反相第二算术目标值;

第二输入电路,其被配置为通过对所述算术结果值进行反相来输出反相算术结果值;以及

检测输出电路,其被配置为基于所述中间结果值、所述反相第二算术目标值和所述反相算术结果值来输出所述高借位数字值。

7.根据权利要求6所述的算术电路,其中,所述检测输出电路包括:

第一MOS晶体管,其串联耦接在电源电压级和接地电压级之间,并被配置为通过其栅极来接收作为所述中间结果值的第一中间结果值,

第二MOS晶体管和第三MOS晶体管,所述第二MOS晶体管和所述第三MOS晶体管中的每个被配置为通过其栅极来接收所述反相第二算术目标值,

第四MOS晶体管,其被配置为通过其栅极来接收作为所述中间结果值的第二中间结果值;

第五MOS晶体管,其串联耦接在所述电源电压级和所述接地电压级之间,并被配置为通过其栅极来接收所述第二中间结果值;

第六MOS晶体管和第七MOS晶体管,所述第六MOS晶体管和所述第七MOS晶体管中的每个被配置为通过其栅极来接收所述反相算术结果值;以及

第八MOS晶体管,其被配置为通过其栅极来接收所述第一中间结果值,

其中,所述第二MOS晶体管的漏极和所述第六MOS晶体管的漏极耦接到公共节点,从所述公共节点输出所述高借位数字值。

8.一种算术电路,包括:

算术驱动电路,其被配置为基于第一算术目标值和第二算术目标值以及低借位数字值来产生算术结果值;以及

检测电路,其被配置为接收反相第二算术目标值和在所述算术驱动电路内产生的中间结果值,并且基于作为反馈而接收到的并与所述算术结果值相对应的反相算术结果值来检测是否出现高借位数字值。

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