[发明专利]一种多晶硅锭杂质层截除装置有效
申请号: | 202110193882.8 | 申请日: | 2021-02-20 |
公开(公告)号: | CN113001796B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 饶森林;熊含梦;张发云;罗玉峰;王发辉;胡云;何亮;邹贵付;谢宇 | 申请(专利权)人: | 新余学院 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D7/04;B28D7/02;B28D7/00 |
代理公司: | 芜湖宸泽知识产权代理事务所(普通合伙) 34208 | 代理人: | 李俊建 |
地址: | 338000 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 杂质 装置 | ||
1.一种多晶硅锭杂质层截除装置,其特征在于,所述多晶硅锭杂质层截除装置用于截除多晶硅锭(11)上的杂质层(12),包括:
夹具,用于夹持所述多晶硅锭(11);
切割机构,用于对所述多晶硅锭(11)上的所述杂质层(12)进行切割;
所述夹具可拆卸设置在所述切割机构的一侧,且所述夹具可沿着所述切割机构的前后方向进行滑动;
其中,所述夹具包括有立板(1),所述立板(1)的中部设有开口,所述立板(1)靠近所述切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有可沿竖直方向进行伸缩活动的伸缩机构(2),所述伸缩机构(2)的伸缩活动端上安装有压板(3),所述立板(1)远离所述切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有顶板(4),所述立板(1)的底部支撑设置有底座(8),所述底座(8)与所述顶板(4)之间设有丝杆传动机构(6),所述丝杆传动机构(6)上活动设置有用于承放所述多晶硅锭(11)的承板(7),所述承板(7)通过所述丝杆传动机构(6)的驱动可进行升降运动,所述承板(7)远离所述丝杆传动机构(6)的一端从所述立板(1)的开口内穿过,所述承板(7)与所述压板(3)挤压配合;
所述多晶硅锭(11)完成上料之后,所述夹具与所述切割机构组装在一起,此时的所述立板(1)紧贴所述切割台(13)的侧壁,所述承板(7)放置在所述切割台(13)的顶部,且所述承板(7)的端部与限位凸起(14)相抵靠,并且所述承板(7)的上端面与限位凸起(14)的上端面齐平,此时可水平微调多所述晶硅锭(11)的位置,使所述多晶硅锭(11)与所述杂质层(12)的交界位置对准切割线(16),对准之后通过所述伸缩机构(2)调节所述压板(3)下压,由此借助所述压板(3)与所述承板(7)来将所述多晶硅锭(11)夹紧固定,接着推动整个夹具朝着切割线(16)的方向移动,借助切割线(16)将所述多晶硅锭(11)的所述杂质层(12)切下;
所述多晶硅锭杂质层截除装置还包括有废料收集机构,用于收集从所述多晶硅锭(11)上切割下来的所述杂质层(12),所述废料收集机构可拆卸设置在所述切割机构远离所述夹具的一侧,且所述废料收集机构可沿着所述切割机构的前后方向进行滑动;
所述废料收集机构包括有箱体(19),所述箱体(19)呈顶部开口的槽状结构,且其顶部开口的高度等于或低于所述限位凸起(14)的高度,从所述多晶硅锭(11)上切割下来的所述杂质层(12)将掉入所述箱体(19)内;
所述底座(8)和所述切割台(13)相互靠近的一侧分别设有可滑动配合的第一滑槽(10)和第一滑条(17),所述箱体(19)与所述切割台(13)相互靠近的一侧分别设有可滑动配合的第二滑槽(20)和第二滑条(18)。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭杂质层截除装置,其特征在于:所述夹具还包括有第一把手(5)和第一行进机构(9),所述第一把手(5)设在所述顶板(4)上,所述第一行进机构(9)设在所述底座(8)的底部。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭杂质层截除装置,其特征在于:所述切割机构包括有切割台(13),所述切割台(13)顶部远离所述夹具的一侧设有限位凸起(14),所述限位凸起(14)顶部的一端设有安装架(15),所述安装架(15)上设有切割线(16),所述夹具与所述切割机构组合在一起之后,所述承板(7)放置在所述切割台(13)的顶部,且所述承板(7)的端部与所述限位凸起(14)相抵靠,并且所述承板(7)的上端面与所述限位凸起(14)的上端面齐平。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭杂质层截除装置,其特征在于:所述废料收集机构还包括有第二行进机构(21)和第二把手(23),所述第二行进机构(21)设在所述箱体(19)的底部,所述第二把手(23)设在所述箱体(19)的外侧壁。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭杂质层截除装置,其特征在于:所述箱体(19)的开口处覆盖设置有柔性遮挡(22),所述柔性遮挡(22)上开设有若干条形缝。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭杂质层截除装置,其特征在于:所述第一滑槽(10)、所述第一滑条(17)、所述第二滑条(18)以及所述第二滑槽(20)均呈T型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新余学院,未经新余学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110193882.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。