[发明专利]一种多晶硅锭杂质层截除装置

说明书

本发明公开了一种多晶硅锭杂质层截除装置，属于多晶硅锭除杂技术领域，其技术方案要点是，包括夹具，用于夹持多晶硅锭；切割机构，用于对多晶硅锭上的杂质层进行切割；夹具可拆卸设置在切割机构的一侧，且夹具可沿着切割机构的前后方向进行滑动；其中，夹具包括有立板，立板的中部设有开口，立板靠近切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有可沿竖直方向进行伸缩活动的伸缩机构，伸缩机构的伸缩活动端上安装有压板，立板远离切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有顶板，立板的底部支撑设置有底座。该种多晶硅锭杂质层截除装置十分便于多晶硅锭的上下料，整个过程方便省力，无需借助额外的搬运抬升工具，且安全性高。

技术领域

本发明涉及多晶硅锭除杂技术领域，具体为一种多晶硅锭杂质层截除装置。

背景技术

太阳能光伏产业作为一种高新技术产业在近些年发展迅速，在各类太阳能电池中，晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池占有极其重要的地位，目前占据了光伏市场75％以上的份额。太阳能光伏产业的发展依赖于对多晶硅原料的提纯。在对多晶硅原料进行提纯的过程中，存在一个关键的、必不可少的环节，就是对多晶硅原料进行定向凝固提纯，所用到的定向凝固技术广泛应用于冶金提纯领域。利用多晶硅原料中硅与杂质之间的分凝系数存在较大差异的这一特点，在凝固过程中，坩埚底端的硅液首先开始凝固，为达到分凝平衡，分凝系数小的杂质从凝固的硅中向液态不断扩散分离出来而聚集在液态，随着凝固不断进行，杂质在液态中的浓度越来越高，最后凝固成型为一个包含多晶硅层和杂质层的多晶硅锭，其中杂质层凝固在多晶硅层的顶端，凝固完成后在较高温度下保温一段时间，使各成分充分扩散以达到分凝平衡，最后将杂质层切除，得到提纯的多晶硅。多晶硅锭凝固成型之后，需要将其从坩埚中取出，再对其杂质层进行截除，由于多晶硅锭的质量往往比较大，且切割台往往也比较高，因此传统多晶硅锭杂质层截除装置无论是将待切割的多晶硅锭搬运至切割台上，还是从切割台上将已切好的多晶硅锭搬走，都需要花费很大的力气，有的甚至需要借助专门的搬运抬升工具，费时费力，造成诸多不便，且产生了一定的安全隐患。

发明内容

本发明的目的是提供一种多晶硅锭杂质层截除装置，以解决上述问题。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种多晶硅锭杂质层截除装置，用于截除多晶硅锭上的杂质层，包括夹具，用于夹持所述多晶硅锭；切割机构，用于对所述多晶硅锭上的所述杂质层进行切割；所述夹具可拆卸设置在所述切割机构的一侧，且所述夹具可沿着所述切割机构的前后方向进行滑动；其中，所述夹具包括有立板，所述立板的中部设有开口，所述立板靠近所述切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有可沿竖直方向进行伸缩活动的伸缩机构，所述伸缩机构的伸缩活动端上安装有压板，所述立板远离所述切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有顶板，所述立板的底部支撑设置有底座，所述底座与所述顶板之间设有丝杆传动机构，所述丝杆传动机构上活动设置有用于承放所述多晶硅锭的承板，所述承板通过所述丝杆传动机构的驱动可进行升降运动，所述承板远离所述丝杆传动机构的一端从所述立板的开口内穿过，所述承板与所述压板挤压配合。

进一步的，所述夹具还包括有第一把手和第一行进机构，所述第一把手设在所述顶板上，所述第一行进机构设在所述底座的底部。

进一步的，所述切割机构包括有切割台，所述切割台顶部远离所述夹具的一侧设有限位凸起，所述限位凸起顶部的一端设有安装架，所述安装架上设有切割线，所述夹具与所述切割机构组合在一起之后，所述承板放置在所述切割台的顶部，且所述承板的端部与所述限位凸起相抵靠，并且所述承板的上端面与所述限位凸起的上端面齐平。

进一步的，所述多晶硅锭杂质层截除装置还包括有废料收集机构，用于收集从所述多晶硅锭上切割下来的所述杂质层，所述废料收集机构可拆卸设置在所述切割机构远离所述夹具的一侧，且所述废料收集机构可沿着所述切割机构的前后方向进行滑动。

进一步的，所述废料收集机构包括有箱体，所述箱体呈顶部开口的槽状结构，且其顶部开口的高度等于或低于所述限位凸起的高度，从所述多晶硅锭上切割下来的所述杂质层将掉入所述箱体内。