[发明专利]一种高耐砷硫氰化物降解菌株及其应用

权利要求书

1.一种高耐砷硫氰化物降解菌株，属于恶臭假单胞菌(Pseudomonas putida)，菌株编号为TDB-1，于2021年1月7日保藏于中国微生物菌种保藏管委会普通微生物中心，保藏编号为CGMCC NO.21602。

2.一种含有权利要求1所述的高耐砷硫氰化物降解菌株的菌剂。

3.根据权利要求2所述的菌剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、菌种活化：在4℃条件下保存在营养琼脂培养基上的试管斜面菌种移至20℃～25℃条件下活化4h～8h；

S2、液体种子制备：在无菌操作台上，用10mL灭菌后的蒸馏水将经活化后的试管斜面菌种制成菌体悬浮液，无菌条件下冲洗入装有灭菌种子培养基的容器中，振荡培养10h～15h，得到液体种子；

S3、发酵：将所述液体种子以2％～5％(v/v)的接种量接到灭菌的发酵培养基中，液体发酵制备获得所述菌剂。

4.根据权利要求3所述的菌剂的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述种子培养基为：葡萄糖2g/L，酵母粉1g/L，氯化钠0.5g/L，硫酸镁0.1g/L，硫酸铵0.95g/L，pH7.2，灭菌条件121℃，0.15Mpa，灭菌20min；培养温度30℃，摇床转速175r/min，培养时间15h；步骤S3中，所述发酵培养基组成为：酵母提取物5g/L，胰蛋白胨10g/L，氯化钠10g/L，硫酸镁0.1g/L，硫酸亚铁0.04g/L，氯化钙0.05g/L，pH7.7，灭菌条件121℃，0.15Mpa，灭菌20min；搅拌转速175r/min，30℃培养15h。

5.权利要求2所述的菌剂或权利要求3-4任一项所述的菌剂的制备方法所获得的菌剂在降解硫氰化物中的应用。

6.权利要求2所述的菌剂或权利要求3-4任一项所述的菌剂的制备方法所获得的菌剂在降解高砷浓度下的硫氰化物的应用。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，应用方法包括将所述菌剂加入到含硫氰化物的溶液中的步骤。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，按质量百分数计，所述菌剂的加入量为总溶液质量的2％。

9.根据权利要求6-8任一项所述的应用，其特征在于，所述含硫氰化物的溶液中，硫氰化物的浓度为0～836mg/L。

10.根据权利要求6-8任一项所述的应用，其特征在于，砷浓度为1000mg/L以内。