[发明专利]一种氧化物组合薄膜制备方法在审

专利信息
申请号: 202110196155.7 申请日: 2021-02-22
公开(公告)号: CN112967835A 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 吴宝嘉;王帅;顾广瑞;张宇巍;冯慧东 申请(专利权)人: 延边大学
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 代理人: 段宇
地址: 133002 吉林省延*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化物 组合 薄膜 制备 方法
【说明书】:

发明适用于材料技术领域,提供了一种氧化物组合薄膜制备方法,氧化物组合薄膜包括层叠设置的基底、第一金属氧化物层、涂覆层以及第二金属氧化物层,所述第一金属氧化物层由改性纳米Si(NO3)2制成;所述涂覆层由卤氧化铋制成;所述第二金属氧化物层材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3;所述卤氧化铋包括以下成分:蒸馏水、冰乙酸、硝酸铋、十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵、硼氢化钠、乙醇;本发明实施例通过形成改性纳米Si(NO3)2制备的第一金属氧化层、卤氧化铋制备的涂覆层和第二金属氧化层,所制成的氧化物组合薄膜不仅导电性能更好,具有良好的发展前景。

技术领域

本发明属于材料技术领域,尤其涉及一种氧化物组合薄膜制备方法。

背景技术

近年来,国内外已有诸多研究致力于将纳米金属粒子负载在纳米氧化锌或氧化镍结构上,以构造纳米复合材料兼顾两种材料的优点,用于制造电子传输层,同时提高光电器件效率。然而,当中所采用的工艺都是气相沉积、蒸镀或蚀刻等方法,制造成本高,能耗高,材料利用率低,不符合工业化规模化的生产需求。同时不能够有效利用纳米颗粒材料易于溶剂化的特点。

当今,氧化铟锡(ITO)是在光电子器件领域应用较为广泛的透明导电氧化物,而高性能的ITO必需经离温退火处理,因而不能与有机物衬底兼容,但是在室温下制备的ITO电阻率较髙,必须通过增加厚度来提高导电薄膜的导电性,而伴随着厚度増加透过率降低同时薄膜脆性增加,多次弯曲后易失效,亦不能满足柔性器件的要求;同时In资源的缺失以及透明导电薄膜市场需求量的猛増也限制了ITO透明导电薄膜的大规模使用。取而代之的是金属导电多层薄膜,金属透明导电多层膜得益于特定的氧化物-金属-氧化物(Oxide-Metal-Oxide,OMO)三明治结构,其制备工艺简单,易实现大规模生产同时薄膜柔韧性以及稳定性较好,但是金属导电多层薄膜在长时间使用时,容易受温度变化影响,影响整体性能。

因此,开发具有耐热性能的导电薄膜,是导电材料技术发展的迫切需求。

发明内容

本发明实施例提供一种氧化物组合薄膜,旨在解决现有氧化物组合薄膜在导电以及耐热有待提高的问题。

本发明实施例是这样实现的,一种氧化物组合薄膜,包括层叠设置的基底、第一金属氧化物层、涂覆层以及第二金属氧化物层,所述第一金属氧化物层由改性纳米Si(NO3)2制成;所述涂覆层由卤氧化铋制成;所述第二金属氧化物层材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3

所述卤氧化铋按重量份数计算,包括以下成分:蒸馏水10-20份、冰乙酸7-15份、硝酸铋5-10份、十六烷基三甲基溴化铵1-3份、十六烷基三甲基氯化铵1-3份、硼氢化钠2-6份、乙醇8-16份。

作为本发明的进一步方案:所述第一金属氧化物层的厚度为2-6μm,所述涂覆层厚度为0.5~3μm。

作为本发明的进一步方案:所述改性纳米氧化物由以下方法制备:取Si(NO3)2初步研磨后按照1:10溶于无水乙醇溶液中,磁力搅拌0.5-5小时,形成透明溶液,再缓慢向溶液中滴加三乙醇胺,调节溶液pH值至6-6.5,形成凝固态胶体;将所得到的胶体置于80℃的烘箱中进行烘干8-30小时后将粉体取出,研磨,在300-600℃下热处理2小时得到纳米Si(NO3)2粉体;在将粉体分散在浓硫酸中,经过100-130℃高温处理,得到改性纳米Si(NO3)2粉末。

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