[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

导电层，在与所述衬底的表面交叉的第1方向上离开所述衬底而设置；及

存储结构，在相对于所述第1方向垂直且包含所述导电层的一部分的第1面，外周面被所述导电层包围；且

所述存储结构具备：

绝缘层；

n个半导体层，设置于所述导电层与所述绝缘层之间，在所述第1面彼此离开，其中n为3以上的自然数；及

栅极绝缘膜，在所述第1面设置于所述导电层与所述n个半导体层之间；且

在所述第1面，将通过使到所述导电层的距离最短的所述绝缘层的外周面上的点且外接于所述绝缘层的正n角形的范围设为第1范围的情况下，

所述n个半导体层设置于所述第1范围的内侧。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备：

多个所述存储结构，在所述第1面，外周面被所述导电层包围；且

所述导电层包含直线配线部，所述直线配线部设置于所述多个存储结构中的2个之间，沿构成与所述2个存储结构的所述第1范围对应的所述正n角形的2条边延伸，与所述2个存储结构相接。

3.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

导电层，在与所述衬底的表面交叉的第1方向上离开所述衬底而设置；及

多个存储结构，在相对于所述第1方向垂直且包含所述导电层的一部分的第1面，外周面被所述导电层包围；且

所述存储结构具备：

绝缘层；

n个半导体层，分别设置于所述导电层与所述绝缘层之间，在所述第1面彼此离开，其中n为3以上的自然数；及

栅极绝缘膜，在所述第1面设置于所述导电层与所述n个半导体层之间；且

在所述第1面，

所述存储结构的外周面包含与所述n个半导体层对应设置的n个角部，所述n个角部包含沿彼此交叉的方向延伸的2个直线部，

所述导电层包含直线配线部，所述直线配线部设置于所述多个存储结构中的2个之间，沿所述2个存储结构的外周面所包含的彼此平行的2个直线部延伸，与所述2个存储结构相接。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

所述n个半导体层分别设置于被2条直线及所述绝缘层的外周面包围的范围的内侧，所述2条直线在与所述角部的所述2个直线部平行的方向上延伸且与所述绝缘层外接。