[发明专利]半导体存储装置

说明书

本发明的实施方式提供一种能够优选地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；导电层，在与衬底的表面交叉的第1方向上离开衬底而设置；及存储结构，在相对于第1方向垂直且包含导电层的一部分的第1面，外周面被导电层包围。存储结构具备：绝缘层；n(n为3以上的自然数)个半导体层，设置于导电层与绝缘层之间，在第1面彼此离开；及栅极绝缘膜，在第1面设置于导电层与n个半导体层之间。在第1面，将通过使到导电层的距离最短的绝缘层的外周面上的点且外接于绝缘层的正n角形的范围设为第1范围的情况下，n个半导体层设置于第1范围的内侧。

[相关申请案]

本申请享受以日本专利申请2020-140651号(申请日：2020年8月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

已知有一种半导体存储装置，其具备：衬底；多个栅极电极，积层于与所述衬底的表面交叉的方向；半导体层，与所述多个栅极电极对向；及栅极绝缘层，设置于栅极电极及半导体层之间。

发明内容

实施方式提供一种能够优选地制造的半导体存储装置。

一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；导电层，在与衬底的表面交叉的第1方向上离开衬底而设置；及存储结构，在相对于第1方向垂直且包含导电层的一部分的第1面，外周面被导电层包围。存储结构具备：绝缘层；n(n为3以上的自然数)个半导体层，设置于导电层与绝缘层之间，在第1面彼此离开；及栅极绝缘膜，在第1面设置于导电层与n个半导体层之间。在第1面，将通过到导电层的距离最短这样的绝缘层的外周面上的点且外接于绝缘层的正n角形的范围设为第1范围的情况下，n个半导体层设置于第1范围的内侧。

所述实施方式中，优选的是具备：多个所述存储结构，在第1面，外周面被导电层包围；且导电层包含直线配线部，所述直线配线部设置于多个存储结构中的2个之间，沿构成与2个存储结构的第1范围对应的正n角形的2条边延伸，与2个存储结构相接。

一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；导电层，在与衬底的表面交叉的第1方向上离开衬底而设置；及多个存储结构，在相对于第1方向垂直且包含导电层的一部分的第1面，外周面被导电层包围。存储结构具备：绝缘层；n(n为3以上的自然数)个半导体层，分别设置于导电层与绝缘层之间，在第1面彼此离开；及栅极绝缘膜，在第1面设置于导电层与n个半导体层之间。在第1面，存储结构的外周面包含与n个半导体层对应设置的n个角部，n个角部包含沿彼此交叉的方向延伸的2个直线部。导电层包含直线配线部，所述直线配线部设置于多个存储结构中的2个之间，沿2个存储结构的外周面所包含的彼此平行的2个直线部延伸，与2个存储结构相接。

所述实施方式中，优选的是n个半导体层分别设置于被2条直线及绝缘层的外周面包围的范围的内侧，所述2条直线在与角部的2个直线部平行的方向上延伸且与绝缘层外接。

根据实施方式，能够优选地制造半导体存储装置。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的一部分构成的示意性俯视图。

图2是表示所述半导体存储装置的一部分构成的示意性XY剖视图。

图3是表示所述半导体存储装置的一部分构成的示意性XY剖视图。

图4是表示所述半导体存储装置的一部分构成的示意性XY剖视图。

图5是表示所述半导体存储装置的一部分构成的示意性XY剖视图。

图6是表示所述半导体存储装置的一部分构成的示意性YZ剖视图。

图7是用以对第1实施方式的半导体存储装置的制造方法进行说明的示意性YZ剖视图。