[发明专利]陶瓷烧结方法及采用该方法制成的陶瓷件

权利要求书

1.一种陶瓷烧结方法，其特征在于，包括：

将陶瓷生胚放置于承烧板上；

对所述陶瓷生胚进行升温阶段烧结，且所述升温阶段包括多个升温时段，至少一个所述升温时段包括升温子时段和第一调温子时段；所述第一调温子时段的升温速率小于所述升温子时段的升温速率；

对所述陶瓷生胚进行降温阶段烧结，且所述降温阶段包括多个降温时段，至少一个所述降温时段包括降温子时段和第二调温子时段；所述第二调温子时段的降温速率小于所述降温子时段的降温速率。

2.根据权利要求1所述的陶瓷烧结方法，其特征在于，至少一个所述升温时段中的所述第一调温子时段的升温速率为零。

3.根据权利要求1所述的陶瓷烧结方法，其特征在于，至少一个所述降温时段中的所述第二调温子时段的降温速率为零。

4.根据权利要求1所述的陶瓷烧结方法，其特征在于，所述升温阶段包括：

第一升温时段，所述第一升温时段的升温子时段为0～39h，升温范围为36～350℃，升温速率为0.14℃/min；所述第一升温时段的第一调温子时段为39～39.5h，且烧结温度保持不变；

第二升温时段，所述第二升温时段的升温子时段为39.5～59h，升温范围为350～500℃，升温速率为0.13℃/min；所述第二升温时段的第一调温子时段为59-59.5h，且烧结温度保持不变；

第三升温时段，所述第三升温时段的升温子时段为59.5～79h，升温范围为500～800℃，升温速率为0.26℃/min；所述第三升温时段的第一调温子时段为79-80h，且烧结温度保持不变；

第四升温时段，所述第四升温时段的升温子时段为80～103h，升温范围为800～1000℃，升温速率为0.14℃/min；所述第四升温时段的第一调温子时段为103-104h，且烧结温度保持不变；

第五升温时段，所述第五升温时段的升温子时段为104～129h，升温范围为1000～1200℃，升温速率为0.13℃/min；所述第五升温时段的第一调温子时段为129-130h，且烧结温度保持不变；

第六升温时段，所述第六升温时段的升温子时段为130～155h，升温范围为1200～1630℃，升温速率为0.28℃/min；所述第六升温时段的第一调温子时段为155-165h，且烧结温度保持不变。

5.根据权利要求4所述的陶瓷烧结方法，其特征在于，所述降温阶段包括：

第一降温时段，所述第一降温时段的降温子时段为165～188h，降温范围为1630～1100℃，降温速率为0.38℃/min；所述第一降温时段的第二调温子时段为188～189h，且烧结温度保持不变；

第二降温时段，所述第二降温时段的降温子时段为189～214h，降温范围为1100～700℃，降温速率为0.27℃/min；所述第二降温时段的第二调温子时段为214～215h，且烧结温度保持不变；

第三降温时段，所述第三降温时段的降温子时段为215～238h，降温范围为700～500℃，降温速率为0.14℃/min；所述第三降温时段的第二调温子时段为238～239h，且烧结温度保持不变；

第四降温时段，所述第四降温时段的降温子时段为239～263h，降温范围为500～350℃，降温速率为0.10℃/min；所述第四降温时段的第二调温子时段为263～264h，且烧结温度保持不变；

第五降温时段，所述第五降温时段的降温子时段为264～288h，降温范围为350～36℃，降温速率为0.22℃/min；所述第五降温时段的第二调温子时段为288～290h，且烧结温度保持不变。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的陶瓷烧结方法，其特征在于，所述将陶瓷生胚放置于承烧板上，具体包括：

在所述承烧板上形成匀热层；

将所述陶瓷生胚放置于所述匀热层上；

将陶瓷工装放置于所述陶瓷生胚上，所述陶瓷工装用于避免颗粒掉落在所述陶瓷生胚上。