[发明专利]陶瓷烧结方法及采用该方法制成的陶瓷件

说明书

本发明实施例提供一种陶瓷烧结方法及采用该陶瓷烧结方法制成的陶瓷件，该陶瓷烧结方法包括：将陶瓷生胚放置于承烧板上；对所述陶瓷生胚进行升温阶段烧结，且升温阶段包括多个升温时段，至少一个升温时段包括升温子时段和第一调温子时段；第一调温子时段的升温速率小于升温子时段的升温速率；对陶瓷生胚进行降温阶段烧结，且降温阶段包括多个降温时段，至少一个降温时段包括降温子时段和第二调温子时段；第二调温子时段的降温速率小于降温子时段的降温速率。本发明实施例提供的陶瓷烧结方法及采用该陶瓷烧结方法制成的陶瓷件，可以提高陶瓷件的抗张强度、降低气孔率和减小残余应力，从而可以减少陶瓷件的表面缺陷，提高陶瓷件的工艺性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种陶瓷烧结方法及采用该陶瓷烧结方法制成的陶瓷件。

背景技术

陶瓷盖(例如用作介质窗)是工艺腔室的重要组成部分，陶瓷盖的工艺性能的稳定性对于工艺均匀性的控制十分重要。陶瓷盖的厚度及直径一般比较大，且工艺制程对陶瓷表面的光洁度要求很高，因此为了满足工艺需求，就需要不断改进陶瓷的烧结方法，通过对陶瓷原材料的把控，来降低陶瓷表面的缺陷，以提高工艺效果。

所谓陶瓷烧结，是指陶瓷致密化过程，以使获得的陶瓷具有均匀细致的晶粒尺寸和低气孔率。烧结温度对陶瓷材料性能有着重大的影响，但是，目前的陶瓷烧结方法存在烧结温度升降过快的问题，导致最终获得的陶瓷件存在抗张强度低、气孔率高、残余应力大、陶瓷表面有细微缺陷的缺陷，从而影响陶瓷件的工艺性能。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种陶瓷烧结方法及采用该陶瓷烧结方法制成的陶瓷件，其可以提高陶瓷件的抗张强度、降低气孔率和减小残余应力，从而可以减少陶瓷件的表面缺陷，提高陶瓷件的工艺性能。

为实现本发明的目的而提供一种陶瓷烧结方法，包括：

将陶瓷生胚放置于承烧板上；

对所述陶瓷生胚进行升温阶段烧结，且所述升温阶段包括多个升温时段，至少一个所述升温时段包括升温子时段和第一调温子时段；所述第一调温子时段的升温速率小于所述升温子时段的升温速率；

对所述陶瓷生胚进行降温阶段烧结，且所述降温阶段包括多个降温时段，至少一个所述降温时段包括降温子时段和第二调温子时段；所述第二调温子时段的降温速率小于所述降温子时段的降温速率。

可选的，至少一个所述升温时段中的所述第一调温子时段的升温速率为零。

可选的，至少一个所述降温时段中的所述第二调温子时段的降温速率为零。

可选的，所述升温阶段包括：

第一升温时段，所述第一升温时段的升温子时段为0～39h，升温范围为36～350℃，升温速率为0.14℃/min；所述第一升温时段的第一调温子时段为39～39.5h，且烧结温度保持不变；

第二升温时段，所述第二升温时段的升温子时段为39.5～59h，升温范围为350～500℃，升温速率为0.13℃/min；所述第二升温时段的第一调温子时段为59-59.5h，且烧结温度保持不变；

第三升温时段，所述第三升温时段的升温子时段为59.5～79h，升温范围为500～800℃，升温速率为0.26℃/min；所述第三升温时段的第一调温子时段为79-80h，且烧结温度保持不变；

第四升温时段，所述第四升温时段的升温子时段为80～103h，升温范围为800～1000℃，升温速率为0.14℃/min；所述第四升温时段的第一调温子时段为103-104h，且烧结温度保持不变；

第五升温时段，所述第五升温时段的升温子时段为104～129h，升温范围为1000～1200℃，升温速率为0.13℃/min；所述第五升温时段的第一调温子时段为129-130h，且烧结温度保持不变；