[发明专利]湿式处理设备与湿式处理方法在审
申请号: | 202110198397.X | 申请日: | 2021-02-22 |
公开(公告)号: | CN114975159A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 苏左将;张芳丕 | 申请(专利权)人: | 顶程国际股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 方法 | ||
一种湿式处理设备与湿式处理方法。此湿式处理设备包含承载盘、去离子水喷洒装置、多流体喷洒装置、以及干燥气体喷射装置。承载盘配置以承载物件。去离子水喷洒装置设于承载盘的上方,且配置以朝物件喷洒第一去离子水。多流体喷洒装置设于承载盘的上方,且配置以朝物件喷洒混合流体。此混合流体包含第二去离子水、水蒸汽、与挥发性流体。干燥气体喷射装置设于承载盘的上方,且配置以朝物件喷射干燥气体。水蒸汽小分子可提升清洗效果,挥发性流体的挥发可提供残留在物件上的处理液与微粒扩散与移动动能,借此可缩短清洗时间,并可减少湿式处理时去离子水的使用量,达到提升去除效率、降低产品缺陷、与提升良率的效果。
技术领域
本揭露是有关于一种湿式处理技术,且特别是有关于一种湿式处理设备与湿式处理方法。
背景技术
以液体对制造物件进行例如清洗与蚀刻等湿式处理已广泛地应用于电子制造产业中。举例而言,利用单晶圆旋转湿式蚀刻设备对晶圆进行蚀刻制程时,会经过单次或多次的酸性或碱性蚀刻液的蚀刻或清洗液的清洗。在湿式处理过程中,不同酸性或碱性处理液的转换之间通常以去离子(DI)水来去除将晶圆上残留的酸性或碱性处理液。此外,在完成所有酸性或碱性处理液的处理步骤后,亦需利用去离子水冲洗残留在晶圆上的酸性或碱性处理液。因此,每片晶圆在整个蚀刻制程所需的去离子水的使用量相当大。而且,在湿式处理期间,大部分的去离子水会因晶圆的高速旋转而迅速的被甩出晶圆,导致去离子水的清洗效果有限。
在水资源有限的情况下,已迫使各大半导体厂积极进行去离子水的使用减量与回收再利用。因此,亟需一种可兼顾湿式处理效果的提升与去离子水的使用量的减少的湿式处理技术。
发明内容
因此,本揭露的一目的就是在提供一种湿式处理设备与湿式处理方法,其可以轮流对物件喷洒去离子水,以及包含去离子水、水蒸汽、与挥发性流体的混合流体的雾状小分子。水蒸汽小分子可减少湿式处理时去离子水的使用量,并可提升清洗效果。此外,挥发性流体的挥发可提供残留在物件上的处理液与微粒扩散与移动动能,而可缩短清洗时间,进一步降低去离子水的使用量,并可提升去除效率,更可避免破坏物件,进而可降低产品缺陷,提升良率。
本揭露的另一目的就是在提供一种湿式处理设备与湿式处理方法,其可以包含干燥氮气与挥发性溶液饱和蒸气的二流体来喷吹物件。挥发性溶液饱和蒸气的挥发可快速带走物件上残留的水分,借此可更快速的旋干物件,而可降低喷吹时间,进而可提升干燥效率,不仅可有效降低干燥氮气的使用量,更可提升产能。此外,物件上的水分被快速带走可降低水印(watermark)缺陷的形成机率,而可减少产品缺陷与提升良率。
根据本揭露的上述目的,提出一种湿式处理设备。此湿式处理设备包含承载盘、去离子水喷洒装置、多流体喷洒装置、以及干燥气体喷射装置。承载盘配置以承载物件。去离子水喷洒装置设于承载盘的上方,且配置以朝物件喷洒第一去离子水。多流体喷洒装置设于承载盘的上方,且配置以朝物件喷洒混合流体。此混合流体包含第二去离子水、水蒸汽、与挥发性流体。干燥气体喷射装置设于承载盘的上方,且配置以朝物件喷射干燥气体。
依据本揭露的一实施例,上述的湿式处理设备更包含多流体产生装置、挥发性流体供应装置、水蒸汽产生器、以及去离子水供应装置。多流体产生装置与多流体喷洒装置流体连通,且配置以产生混合流体与供应此混合流体给多流体喷洒装置。挥发性流体供应装置与多流体产生装置流体连通,且配置以供应挥发性流体给多流体产生装置。水蒸汽产生器与多流体产生装置流体连通,且配置以产生水蒸汽与供应水蒸汽给多流体产生装置。去离子水供应装置与多流体产生装置流体连通,且配置以供应第二去离子水给多流体产生装置。
依据本揭露的一实施例,上述的挥发性流体为挥发性溶液饱和蒸气。而且,挥发性流体供应装置包含挥发性溶液饱和蒸气产生器以及载气供应装置。挥发性溶液饱和蒸气产生器配置以产生挥发性溶液饱和蒸气。载气供应装置配置以提供氮气来将挥发性溶液饱和蒸气运载至多流体产生装置。
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