[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的P型金属电极和N型金属电极；

所述P型金属电极包括背离所述衬底一侧依次排布的第一电极层、第一金层、第一铝层以及位于所述第一金层与所述第一铝层之间的第一合金层；

所述N型金属电极包括背离所述衬底一侧依次排布的第二电极层、第二金层、第二铝层以及位于所述第二金层与所述第二铝层之间的第二合金层；

其中，所述第一合金层和所述第二合金层均为金-铝合金层，所述第一电极层和所述第二电极层为不同金属层叠加而成的多层异质金属层。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：

位于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括背离所述衬底一侧依次排布的N型层、有源层、P型层，所述有源层裸露所述N型层部分表面，所述P型层覆盖所述有源层；

其中，所述P型金属电极位于所述P型层背离所述有源层一侧，与所述P型层电连接，所述N型金属电极位于所述N型层裸露部分表面，与所述N型层电连接。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，还包括：

透明导电层，所述透明导电层位于所述P型层背离所述衬底一侧，并覆盖所述P型层的预设区域，所述P型层的预设区域为所述P型层表面除去中间区域以外的边缘区域；

其中，所述P型金属电极位于所述透明导电层背离所述衬底一侧。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：绝缘层，所述绝缘层覆盖所述LED芯片表面除去所述P型金属电极表面和所述N型金属电极表面的部分。

5.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成P型金属电极和N型金属电极；

所述P型金属电极包括背离所述衬底一侧依次排布的第一电极层、第一金层、第一铝层，所述N型金属电极包括背离所述衬底一侧依次排布的第二电极层、第二金层、第二铝层；

利用高温退火工艺，在所述第一金层和所述第一铝层之间形成第一合金层，在所述第二金层和所述第二铝层之间形成第二合金层；

其中，所述第一合金层和所述第二合金层均为金-铝合金层，所述第一电极层和所述第二电极层为不同金属层叠加而成的多层异质金属层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述P型金属电极和所述N型金属电极之前，该方法还包括：

在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括背离所述衬底一侧依次排布的N型层、有源层、P型层，所述有源层裸露所述N型层部分表面，所述P型层覆盖所述有源层；

其中，所述P型金属电极位于所述P型层背离所述有源层一侧，与所述P型层电连接，所述N型金属电极位于所述N型层裸露部分表面，与所述N型层电连接。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，该方法还包括：

形成透明导电层，所述透明导电层位于所述P型层背离所述衬底一侧，覆盖所述P型层的预设区域，所述P型层的预设区域为所述P型层表面除中间区域以外的边缘区域；

其中，所述P型金属电极位于所述透明导电层背离所述衬底一侧。

8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述P型金属电极和所述N型金属电极之后，该方法还包括：

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述LED芯片表面除去所述P型金属电极表面和所述N型金属电极表面的部分。