[发明专利]一种低抖动的差分时钟接收电路在审
申请号: | 202110201687.5 | 申请日: | 2021-02-23 |
公开(公告)号: | CN113014232A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 周雄;李强;杨世恒 | 申请(专利权)人: | 成都西瓴科技有限公司 |
主分类号: | H03K3/027 | 分类号: | H03K3/027;H03K3/023;H03K5/135 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李蕊 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抖动 时钟 接收 电路 | ||
1.一种低抖动的差分时钟接收电路,其特征在于,包括:电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3、PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M14、PMOS管M15、NMOS管M16和电容Co;
所述PMOS管M1的源极分别与PMOS管M6的漏极和PMOS管M2的源极连接,其栅极分别与电阻R0的一端和NMOS管M3的栅极连接,并作为差分时钟接收电路的第一外部输入时钟端CLKIN;所述MOS管M1的漏极分别与NMOS管M3的漏极、电阻R1的一端、PMOS管M7的栅极和NMOS管M9的栅极连接;
所述NMOS管M5的栅极分别与电阻R1的另一端和电阻R2的一端连接,其漏极分别与NMOS管M3的源极和NMOS管M4的源极连接,其源极接地;所述PMOS管M7的源极分别与PMOS管M12的漏极和PMOS管M8的源极连接,其漏极分别与NMOS管M9的漏极、电容Co的一端和NMOS管M11的栅极连接;
所述NMOS管M10的栅极分别与PMOS管M8的栅极、电阻R2的另一端、NMOS管M4的漏极和PMOS管M2的漏极连接,其漏极分别与PMOS管M8的漏极、PMOS管M13的栅极和NMOS管M14的栅极连接,其源极分别与NMOS管M9的源极和NMOS管M11的漏极连接;所述NMOS管M11的源极接地;所述PMOS管M12的源极分别与PMOS管M6的源极、PMOS管M13的源极和PMOS管M15的源极连接,并作为差分时钟接收电路的VDD端;所述PMOS管M6的栅极与电阻R3的一端连接,并作为差分时钟接收电路的偏置电压端VBIAS;所述PMOS管M12的栅极分别与电阻R3的另一端和电容Co的另一端连接;所述PMOS管M2的栅极分别与NMOS管M4的栅极和电阻R0的另一端,作为第二外部输入时钟端CLKIP;所述NMOS管M14的漏极分别与PMOS管M13的漏极、PMOS管M15的栅极和NMOS管M16的栅极连接,其源极接地;所述NMOS管M16的源极接地,其漏极与PMOS管M15的漏极连接,并作为差分时钟接收电路的时钟信号输出端CLKOUT。
2.根据权利要求1所述的低抖动的差分时钟接收电路,其特征在于,所述差分时钟接收电路采用的工艺为28nm CMOS工艺。
3.根据权利要求1所述的低抖动的差分时钟接收电路,其特征在于,所述电阻R1与电阻R2的电阻值相等。
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