[发明专利]半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

浅槽隔离区域，位于部分所述衬底上；

至少一个第一多晶硅层，包括连续的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述衬底上，所述第二部分位于所述浅槽隔离区域上；

至少一个第二多晶硅层，位于所述衬底上，所述第二多晶硅层与所述第一多晶硅层相同；

多个通孔结构，至少一个所述第一多晶硅层上有两个所述通孔结构，两个所述通孔结构中的一个位于所述第一部分上，两个所述通孔结构中的另一个位于所述第二部分上，至少一个所述第二多晶硅层上有两个所述通孔结构，两个所述通孔结构在所述第二多晶硅层上的位置与两个所述通孔结构在所述第一多晶硅层上的位置相同。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括多个金属线，一个所述通孔结构分别与两个所述金属线电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多晶硅层有一个，所述第二多晶硅层有一个，多个所述通孔结构包括第一通孔结构、第二通孔结构、第三通孔结构以及第四通孔结构，所述第一通孔结构和所述第二通孔结构位于所述第一多晶硅层上，所述第三通孔结构和所述第四通孔结构位于所述第二多晶硅层上。

4.一种权利要求1至3中任一项所述的半导体结构的台阶高度的确定方法，其特征在于，所述台阶高度为浅槽隔离区域表面与衬底表面的高度差，所述方法包括：

获取多个所述半导体结构的第一参数值和第二参数值，所述第一参数值为所述台阶高度，所述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值，所述第一结构由第一多晶硅层以及所述第一多晶硅层上的两个通孔结构构成，所述第二结构由第二多晶硅层与所述第二多晶硅层上的两个所述通孔结构构成；

根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值，构建所述第一参数值和所述第二参数值的函数关系；

获取目标半导体结构的所述第二参数值；

根据所述函数关系以及所述第二参数，确定所述目标半导体结构的所述台阶高度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，获取多个所述半导体结构的第一参数值，包括：

通过切片分析，确定多个所述半导体结构的所述第一参数值。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，获取多个所述半导体结构的第二参数值，包括：

采用四端法测试多个第一通孔以及第二通孔之间的第一电阻；

采用四端法测试多个第三通孔以及第四通孔之间的第二电阻；

将多个所述第一电阻与对应的多个所述第二电阻作差，得到多个所述第二参数值。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值，构建所述第一参数值和所述第二参数值的函数关系，包括：

构建初始函数关系式，所述初始函数关系式包括未知参数；

根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值，确定所述未知参数，得到所述函数关系。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在根据所述函数关系以及所述第二参数，确定所述目标半导体结构的所述台阶高度之后，所述方法还包括：

确定所述目标半导体结构的所述台阶高度是否在预定范围内；

在确定所述目标半导体结构的所述台阶高度不在所述预定范围内的情况下，调整所述半导体结构的工艺参数，以使得根据调整后的工艺参数得到的所述半导体结构的所述台阶高度在所述预定范围内。