[发明专利]半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法

说明书

本申请提供了一种半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法，该半导体结构包括衬底、浅槽隔离区域、第一多晶硅层、第二多晶硅层和多个通孔结构，其中，浅槽隔离区域位于部分衬底上；第一多晶硅层包括连续的第一部分和第二部分，第一部分位于衬底上，第二部分位于浅槽隔离区域上；第二多晶硅层位于衬底上，第二多晶硅层与第一多晶硅层相同；至少一个第一多晶硅层上有两个通孔结构，两个通孔结构中的一个位于第一部分上，两个通孔结构中的另一个位于第二部分上，至少一个第二多晶硅层上有两个通孔结构，两个通孔结构在第二多晶硅层上的位置与两个通孔结构在第一多晶硅层上的位置相同。该半导体结构使得台阶高度的测试方法的成本较低。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体结构、半导体结构的台阶高度的确定方法、确定装置、计算机可读存储介质、处理器和电子设备。

背景技术

目前通过切片后光学测试STI(Shallow Trench Isolation，浅沟槽隔离)的台阶高度，该方式需要直接报废半导体结构，人力及原料成本较高。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种半导体结构、半导体结构的台阶高度的确定方法、确定装置、计算机可读存储介质、处理器和电子设备，以解决现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体结构，包括衬底、浅槽隔离区域、至少一个第一多晶硅层、至少一个第二多晶硅层和多个通孔结构，其中，所述浅槽隔离区域位于部分所述衬底上；所述第一多晶硅层包括连续的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述衬底上，所述第二部分位于所述浅槽隔离区域上；所述第二多晶硅层位于所述衬底上，所述第二多晶硅层与所述第一多晶硅层相同；至少一个所述第一多晶硅层上有两个所述通孔结构，两个所述通孔结构中的一个位于所述第一部分上，两个所述通孔结构中的另一个位于所述第二部分上，至少一个所述第二多晶硅层上有两个所述通孔结构，两个所述通孔结构在所述第二多晶硅层上的位置与两个所述通孔结构在所述第一多晶硅层上的位置相同。

可选地，所述半导体结构还包括多个金属线，一个所述通孔结构分别与两个所述金属线电连接。

可选地，所述第一多晶硅层有一个，所述第二多晶硅层有一个，多个所述通孔结构包括第一通孔结构、第二通孔结构、第三通孔结构以及第四通孔结构，所述第一通孔结构和所述第二通孔结构位于所述第一多晶硅层上，所述第三通孔结构和所述第四通孔结构位于所述第二多晶硅层上。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种所述的半导体结构的台阶高度的确定方法，所述台阶高度为浅槽隔离区域表面与衬底表面的高度差，所述方法包括：获取多个所述半导体结构的第一参数值和第二参数值，所述第一参数值为所述台阶高度，所述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值，所述第一结构由第一多晶硅层以及所述第一多晶硅层上的两个通孔结构构成，所述第二结构由第二多晶硅层与所述第二多晶硅层上的两个所述通孔结构构成；根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值，构建所述第一参数值和所述第二参数值的函数关系；获取目标半导体结构的所述第二参数值；根据所述函数关系以及所述第二参数，确定所述目标半导体结构的所述台阶高度。

可选地，获取多个所述半导体结构的第一参数值，包括：通过切片分析，确定多个所述半导体结构的所述第一参数值。

可选地，获取多个所述半导体结构的第二参数值，包括：采用四端法测试多个第一通孔以及第二通孔之间的第一电阻；采用四端法测试多个第三通孔以及第四通孔之间的第二电阻；将多个所述第一电阻与对应的多个所述第二电阻作差，得到多个所述第二参数值。