[发明专利]静电纺丝装置及ZnO-PLGA-PCL抗菌纳米纤维膜的制备方法在审
申请号: | 202110203004.X | 申请日: | 2021-02-23 |
公开(公告)号: | CN112981558A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 徐岚;李思琦 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | D01D5/00 | 分类号: | D01D5/00;D04H1/4382;D04H1/728;D01F8/14;D01F1/10 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 许冬莹 |
地址: | 215006 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 纺丝 装置 zno plga pcl 抗菌 纳米 纤维 制备 方法 | ||
1.一种静电纺丝装置,其特征在于:包括恒流供液装置、贮液池、接收装置以及高压静电发生器;
所述恒流供液装置与所述贮液池连通,为所述贮液池内提供所述纺丝液且使所述贮液池内的纺丝液保持不溢出的临界状态;
所述接收装置设置于所述贮液池上方,且所述接收装置通过接地导线与地面连接;
所述高压静电发生器与所述贮液池连接,使所述贮液池和所述接收装置之间形成电场;
其中,所述贮液池设置为圆筒状,其具有环设的侧壁以及底壁,所述侧壁的顶壁向内倾斜设置,所述贮液池顶端具有无密封遮挡的开口,所述贮液池在所述电场的作用下,侧壁的顶壁产生尖端放电,所述纺丝液通过尖端放电现象克服溶液张力形成射向所述电场的射流。
2.如权利要求1所述的静电纺丝装置,其特征在于:所述静电纺丝装置还包括防溢液装置,所述防溢液装置具有空腔,所述贮液池沿所述静电纺丝装置高度方向上的投影位于所述空腔内。
3.如权利要求2所述的静电纺丝装置,其特征在于:沿所述静电纺丝装置高度方向上,所述接收装置与所述贮液池之间的间距为15-20cm。
4.一种ZnO-PLGA-PCL抗菌纳米纤维膜的制备方法,其特征在于,采用如权利要求1至3任一项所述的静电纺丝装置,包括以下步骤:
S1.提供聚己内酯、聚乳酸-羟基乙酸共聚物、纳米氧化锌、偶联剂以及六氟异丙醇,将所述聚己内酯和所述聚乳酸-羟基乙酸共聚物加入所述六氟异丙醇中并搅拌,再加入所述纳米氧化锌和所述偶联剂,得到纺丝液;
S2.将所述纺丝溶液放入静电纺丝装置中进行静电纺丝,得到抗菌纳米纤维膜。
5.如权利要求4所述的ZnO-PLGA-PCL抗菌纳米纤维膜的制备方法,其特征在于:所述偶联剂采用一水合柠檬酸。
6.如权利要求4所述的ZnO-PLGA-PCL抗菌纳米纤维膜的制备方法,其特征在于:步骤S2中,在所述静电纺丝前,将所述纺丝液超声震动20~40分钟。
7.如权利要求4所述的ZnO-PLGA-PCL抗菌纳米纤维膜的制备方法,其特征在于:所述纳米氧化锌与偶联剂的质量比为10:3。
8.如权利要求4所述的ZnO-PLGA-PCL抗菌纳米纤维膜的制备方法,其特征在于:所述纳米氧化锌与所述聚己内酯、聚乳酸-羟基乙酸共聚物之和的质量百分比为3~7%。
9.如权利要求4所述的ZnO-PLGA-PCL抗菌纳米纤维膜的制备方法,其特征在于:所述聚己内酯、聚乳酸-羟基乙酸共聚物之和的浓度为11g/ml%。
10.如权利要求4所述的ZnO-PLGA-PCL抗菌纳米纤维膜的制备方法,其特征在于:步骤S2中,在所述静电纺丝过程中,纺丝温度为25±3℃,湿度为50±5%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110203004.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。