[发明专利]聚合物保护层的形成方法在审
| 申请号： | 202110203587.6 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113113316A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 黄致凡;王茂南;利宗伦;李慈莉;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚合物 保护层 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种聚合物保护层的形成方法，包括：
形成一互连结构于一基板之上；
形成耦合至该互连结构的一焊垫；
沉积一聚合物材料于该焊垫之上；
执行一图案化制程来移除部分的该聚合物材料以形成一开口于该聚合物材料中，其中该开口直接在该焊垫上并暴露该焊垫；
执行一第一清洁制程；
固化该聚合物材料以形成一聚合物保护层；以及
执行一第二清洁制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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