[发明专利]聚合物保护层的形成方法

说明书

本公开涉及一种聚合物保护层的形成方法，其包含形成互连结构于基板之上。焊垫可耦合至互连结构，且聚合物材料可沉积于焊垫之上。在一些实施例中，方法进一步包含执行图案化制程来移除部分的聚合物材料以形成开口于聚合物材料中。上述开口直接在焊垫上并暴露该焊垫。另外，方法包含第一清洁制程。固化聚合物材料以形成聚合物保护层以及执行第二清洁制程。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术，且特别涉及集成芯片中的聚合物保护层及包含上述聚合物保护层的集成芯片。

背景技术

半导体产业通过例如减小最小部件的尺寸(这允许将更多的组件集成到给定区域中)，来持续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度。已开发出利用较小面积或较小高度的较小封装结构来封装半导体装置。正在研究新的材料和相应的方法，以使电子组件和封装结构中的部件尺寸最小化。

发明内容

在一些实施例中，提供一种方法，其包括：形成互连结构于基板之上；形成耦合至上述互连结构的焊垫；沉积聚合物材料于焊垫之上；执行图案化制程来移除部分的聚合物材料以形成开口于聚合物材料中，其中上述开口直接在焊垫上并暴露该焊垫；执行第一清洁制程；固化聚合物材料以形成聚合物保护层；以及执行第二清洁制程。

在其他实施例中，提供一种方法，其包括：沉积聚合物材料于焊垫之上；执行光学微影以及蚀刻制程来移除直接覆盖焊垫的部分的聚合物材料以形成开口于聚合物材料中；执行包括等离子体气体的第一清洁制程以清洁焊垫；在执行第一清洁制程之后固化聚合物材料以自聚合物材料形成聚合物保护层；以及执行包括液态溶液的第二清洁制程以清洁焊垫以及聚合物保护层，其中第二清洁制程是在固化聚合物材料之后执行。

在又一实施例中，提供一种集成芯片，其包括：布置于基板之上的互连结构，其中互连结构包括嵌于互连介电质结构中的线路以及导孔；布置于互连结构之上的焊垫；布置于焊垫之上的钝化层结构，其中钝化层结构包括直接布置于焊垫之上的第一开口；以及布置于钝化层结构以及焊垫之上的聚合物保护层，其中聚合物保护层包括直接布置于焊垫之上的第二开口，其中第二开口小于第一开口，且其中聚合物保护层包括卤素。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图式并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A绘示具有设置于互连结构之上的聚合物保护层的集成芯片的一些实施例的剖面图，其中聚合物保护层具有实质上弯曲的内角区域。

图1B绘示具有小曲率半径的图1A的聚合物保护层的放大剖面图。

图2绘示具有布置于半导体装置之上的聚合物保护层的集成芯片的一些其他实施例的剖面图，其中聚合物保护层具有实质上弯曲的内角区域。

图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14A、图14B以及图15绘示具有布置于焊垫之上的聚合物保护层的集成芯片的形成方法的一些实施例的各种图式，其中聚合物保护层的形成期间减轻了对焊垫的损坏。

图16绘示相应于图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14A、图14B以及图15的方法的一些实施例的流程图。

其中，附图标记说明如下：

100A，100B，200，300，400，500，600，700，800，900，1000，1100，1200，1300，1400A，1400B，1500：剖面图

1400B：俯视图

102：基板

102b：背侧

102f：前侧

104：半导体装置