[发明专利]封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110204473.3 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114975397A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/498;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
第一基板；
第二基板，位于所述第一基板上方；
光集成电路，位于所述第二基板上方；
电集成电路，所述光集成电路通过所述第一基板和所述第二基板电性连接至所述电集成电路。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二基板包括重分布线(RDL)。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一基板通过粘合层与所述第二基板接合。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一基板与所述电集成电路在横向上并排设置，并且所述第一基板和所述第二基板的总厚度大于所述电集成电路的厚度。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述第一基板的远离所述第二基板的一侧具有第一I/O连接件，所述第二基板的远离所述第一基板的一侧具有第二I/O连接件，其中，所述第一I/O连接件的节距与所述第二I/O连接件的节距不同。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，
所述第一I/O连接件的节距大于所述第二I/O连接件的节距。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
第三基板，所述第一基板和所述电集成电路都位于所述第三基板上，其中，所述光集成电路还通过所述第三基板电性连接至所述光集成电路。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
第一光纤阵列单元，位于所述电集成电路上方和所述光集成电路下方，
其中，所述第一光纤阵列单元具有从所述光集成电路下方延伸至所述电集成电路上方的第一侧壁，所述第一侧壁的至少部分是倾斜的。
9.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，还包括：
另一集成电路，位于所述光集成电路下方，并且与所述电集成电路位于所述第一基板和所述第二基板的相对两侧。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
底部填充物，所述底部填充物包封所述第一基板和所述第二基板。
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