[发明专利]封装结构及其形成方法

说明书

本发明提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：第一基板；第二基板，位于第一基板上方；光集成电路，位于第二基板上方；电集成电路，光集成电路通过第一基板和第二基板电性连接至电集成电路。本发明的上述技术方案，能够改善封装结构的电性连接性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种封装结构及其形成方法。

背景技术

如图1所示，封装结构包括PIC(光集成电路)12，PIC 12例如是硅光(Si-Ph)芯片。在这样的封装结构中，需要在PIC的主动面附接FAU(光纤阵列单元，Fiber Array Unit)14之后再将PIC的主动面接合至EIC(电集成电路)16，而FAU 14的厚度较厚(单一光纤的直径为125μm+壳体厚度)，因此PIC 12和EIC 16之间需要以较高的导电柱15进行电性连接(导电柱的高度可以约为200μm)。但是，由于存在较高的导电柱，因此在PIC 12与EIC 16的接合工艺中，可能会出现部份导电柱15承受不住接合力而弯曲19，进而造成电性连接不良的问题。

发明内容

针对相关技术中的上述问题，本发明提出一种封装结构及其形成方法，能够避免现有的电性连接不良的问题。

本发明的实施例提供了一种封装结构，包括：第一基板；第二基板，位于第一基板上方；光集成电路，位于第二基板上方；电集成电路，光集成电路通过第一基板和第二基板电性连接至电集成电路。

在一些实施例中，第一基板的厚度大于第二基板的厚度。

在一些实施例中，第二基板包括重分布线(RDL)。

在一些实施例中，第一基板通过粘合层与第二基板接合。

在一些实施例中，第一基板与电集成电路在横向上并排设置，并且第一基板和第二基板的总厚度大于电集成电路的厚度。

在一些实施例中，第一基板的远离第二基板的一侧具有第一I/O连接件，第二基板的远离第一基板的一侧具有第二I/O连接件，其中，第一I/O连接件的节距与第二I/O连接件的节距不同。在一些实施例中，第一I/O连接件的节距大于第二I/O连接件的节距。

在一些实施例中，封装结构还包括第三基板，第一基板和电集成电路都位于第三基板上，其中，光集成电路还通过第三基板电性连接至光集成电路。

在一些实施例中，第三基板包括重分布线(RDL)。

在一些实施例中，封装结构还包括：第一光纤阵列单元，位于电集成电路上方和光集成电路下方。其中，第一光纤阵列单元具有从光集成电路下方延伸至电集成电路上方的第一侧壁，第一侧壁的至少部分是倾斜的。

在一些实施例中，封装结构还包括：另一集成电路，位于光集成电路下方，并且与电集成电路位于第一基板和第二基板的相对两侧。

在一些实施例中，封装结构还包括第二光纤阵列单元，第二光纤阵列单元位于另一集成电路上方和光集成电路下方。其中，第二光纤阵列单元具有从光集成电路下方延伸至另一集成电路上方的第二侧壁，第二侧壁的至少部分是倾斜的。

在一些实施例中，另一集成电路是电源管理集成电路。

在一些实施例中，封装结构还包括：底部填充物，底部填充物包封第一基板和第二基板。

本发明的实施例还提供了一种形成封装结构的方法，包括：邻近电集成电路放置第一基板和位于第一基板上的第二基板；将光集成电路堆叠在第二基板上方，以使得光集成电路通过第一基板和第二基板电性连接至电集成电路。

在一些实施例中，在放置第一基板和第二基板之后，还包括：在电集成电路上方放置光纤阵列单元，光集成电路位于第二基板和光纤阵列单元上方。