[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包含：控制部，控制存储器的刷新操作的间隔；若既定期间内对该存储器的读取或写入存取要求的频率越高，则控制该存储器的刷新操作的间隔变得越短。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，若该既定期间内对该存储器的读取或写入存取要求的频率越高，则该控制部控制刷新要求的间隔变得越短，该刷新要求是为了执行该存储器的刷新操作，而每隔一段时间所产生的。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，若该既定期间内对该存储器的读取或写入存取要求的频率越高，则该控制部针对刷新要求，控制所执行的刷新操作的次数增加，该刷新要求是为了执行该存储器的刷新操作，而每隔一段时间所产生的。

4.如权利要求1至3任何一项所述的半导体存储装置，其中，该控制部针对连续的列地址的多个区块的每一个，分别控制刷新操作的间隔。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置，其中，该多个区块的每一个，都分别包含刷新地址计数器，该刷新地址计数器根据刷新要求，指定刷新操作执行的列地址；其中，该控制部针对该多个区块的每一个区块，控制由该多个区块的每一个区块所对应的刷新地址计数器指定的列地址所对应的刷新操作执行。

6.如权利要求4所述的半导体存储装置，更包含：刷新地址计数器，根据刷新要求，指定刷新操作执行的列地址；其中，该控制部针对该多个区块的每一个区块，控制该刷新地址计数器指定的列地址所对应的刷新操作执行。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其中，若该刷新地址计数器指定的列地址，与设定为对应的区块当中的读取或写入存取要求的频率越高则越多的至少1个既定列地址当中的任何一者一致时，该控制部针对该指定的列地址所对应的刷新操作执行。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中，每当选择同一个区块作为刷新操作的对象时，该既定列地址都设定为可变更。

9.如权利要求1至3任何一项所述的半导体存储装置，其中，每经过该既定期间，该控制部就根据该既定期间内对该存储器执行的读取或写入存取要求的频率，控制该存储器的刷新操作的间隔。

10.如权利要求1至3任何一项所述的半导体存储装置，其中，对存储器执行的读取或写入存取要求的频率，分类为既定个数。