[发明专利]半导体存储装置在审

申请号：	202110204482.2	申请日：	2021-02-24
公开（公告）号：	CN114974343A	公开（公告）日：	2022-08-30
发明（设计）人：	佐佐木纯一	申请（专利权）人：	华邦电子股份有限公司
主分类号：	G11C11/406	分类号：	G11C11/406;G11C11/4063
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司 11127	代理人：	侯天印;郝博
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体存储装置
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【说明书】：

提供一种半导体存储装置，能够抑制耗电增加，同时避免列锤击问题造成的数据破坏。半导体存储装置，包含：控制部10，控制存储器的刷新操作的间隔；若既定期间内对存储器的读取或写入存取要求的频率越高，则控制存储器的刷新操作的间隔变得越短。

技术领域

本发明关于半导体存储装置。

背景技术

半导体存储装置中的DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)，是一种挥发性存储器，借由将电荷蓄积在电容器来存储信息，一旦没有供给电源，存储的信息将会遗失。由于蓄积在电容器的电荷经过一定时间之后就会放电，因此DRAM需要定期充电，这样的存储保持操作称为刷新(Refresh)。

然而，在执行刷新的期间，若对同一列(Row)地址的多次读取及/或写入要求太集中，则有可能会发生列锤击(Row Hammer)问题。所谓的列锤击问题，是在一定时间内对同一列地址的多次存取太集中时，物理上与该列地址相邻的列地址，所对应的数据位元的电荷因为放电而引起数据破坏的问题。

为了解决关于列锤击的问题，举例来说，有人考虑过将存储器的刷新间隔设定成更短。然而，在这种情况下，刷新会变得以很短的间隔频繁执行，因此半导体存储装置的耗电有增加的风险。

本发明的目的在于提供一种半导体存储装置，能够抑制耗电增加，同时避免列锤击问题造成的数据破坏。

发明内容

本发明提供一种半导体存储装置，包含：控制部，控制存储器的刷新操作的间隔；若既定期间内对该存储器的读取或写入存取要求的频率越高，则控制该存储器的刷新操作的间隔变得越短。

依照本发明的半导体存储装置，能够抑制耗电增加，同时避免列锤击问题造成的数据破坏。

附图说明

图1为一方块图，表示关于本发明的第1实施例的半导体存储装置的构成例。

图2表示控制部的构成例。

图3为一时序图，表示第1实施例的半导体存储装置内的各部信号的电压推移。

图4为一方块图，表示关于本发明的第2实施例的半导体存储装置当中的控制部的构成例。

图5为一时序图，表示第2实施例的半导体存储装置内的各部信号的电压推移。