[发明专利]一种Micro OLED显示结构及其制备方法

权利要求书

1.一种Micro OLED显示结构，其特征在于，包括电路基板(1)及其上覆盖设置的多膜层结构，多膜层结构由多张掩膜板覆盖在电路基板(1)上依次蒸镀成型，所述电路基板(1)上设置有多个环形围墙(2)，每张掩膜板的掩膜孔外缘两侧分别设置一个所述环形围墙(2)，两个环形围墙(2)之间形成容纳particle的环形凹槽(3)。

2.根据权利要求1所述的Micro OLED显示结构，其特征在于：两个所述环形围墙(2)与所述掩膜孔外缘之间的距离相等，两个所述环形围墙(2)之间的距离设置为10～100μm。

3.根据权利要求1所述的Micro OLED显示结构，其特征在于：所述环形围墙(2)的截面形状设置为上窄下宽的梯形，所述环形围墙(2)的高度设置为0.5～2μm，所述环形围墙(2)的顶部宽度设置为5～40μm，所述环形围墙(2)的底部宽度设置为15～50μm。

4.根据权利要求1所述的Micro OLED显示结构，其特征在于：所述环形围墙(2)由金属、无机或有机材料通过涂布、曝光、显影、刻蚀、喷墨打印或点胶的方式固定在所述电路基板(1)上。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的Micro OLED显示结构，其特征在于：所述多膜层结构包括电路基板(1)上依次覆盖铺设的有机发光层(4)、阴极金属层(5)、光提取层(6)和封装层(7)，所述有机发光层(4)、阴极金属层(5)、光提取层(6)和封装层(7)各由一张掩膜板覆盖在所述电路基板(1)上蒸镀成型，所述有机发光层(4)与所述阴极金属层(5)、所述阴极金属层(5)与光提取层(6)、所述光提取层(6)与封装层(7)沿外周方向的相交处的两侧均设置所述环形围墙(2)。

6.根据权利要求5所述的Micro OLED显示结构，其特征在于：所述电路基板(1)上还设置有多个阳极金属层(8)和像素定义层(9)，两个像素定义层(9)之间形成子像素坑，所述子像素坑的底部设置所述阳极金属层(8)。

7.根据权利要求6所述的Micro OLED显示结构，其特征在于：所述阳极金属层(8)和像素定义层(9)上覆盖所述有机发光层(4)。

8.根据权利要求5所述的Micro OLED显示结构，其特征在于：所述封装层(7)的膜层包括Al₂O₃、TiO₂、ATO、SiN、SiON、SiO、亚克力系有物、环氧树脂系有机物中的一种或多种之间的组合形成。

9.一种如权利要求1～8任意一项所述的Micro OLED显示结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在硅基板上制备驱动电路形成所述电路基板(1)；

2)在所述电路基板(1)上制备阳极金属层(8)和像素定义层(9)，同时在电路基板(1)上放置掩膜板的边缘位置处分别制备两个环形围墙(2)；

3)将相应的掩膜板依次放在电路基板(1)上，使掩膜板的外缘卡接在两个环形围墙(2)内，依次蒸镀制备所述有机发光层(4)、阴极金属层(5)和光提取层(6)；

4)在光提取层(6)外制备所述封装层(7)，完成后续的黄光及模组制程。