[发明专利]一种Micro OLED显示结构及其制备方法

说明书

一种Micro OLED显示结构及其制备方法，属于微型OLED显示技术领域，该显示结构包括电路基板及其上覆盖设置的多膜层结构，多膜层结构由多张掩膜板覆盖在电路基板上依次蒸镀成型，电路基板上设置有多个环形围墙，每张掩膜板的掩膜孔外缘两侧分别设置一个环形围墙，两个环形围墙之间形成容纳particle的环形凹槽，本发明的有益效果是，该显示结构整体结构简单、加工工艺简单，可以集中存储蒸镀制程中掩膜板边缘的particle，防止了在蒸镀制程中particle四处飘散，提高了封装的可靠性、产品的质量和结构强度。

技术领域

本发明涉及微型OLED显示技术领域，尤其涉及一种Micro OLED显示结构及其制备方法。

背景技术

Micro OLED(Organic Light Emitting Display)是一种微型OLED显示技术，主要应用于特种军用显示(枪支瞄准镜、单兵作战头盔显示器、飞行员头盔等)以及民用消费电子领域(AR、VR、微型投影仪、航空拍摄等)，Micro OLED具有体积小、重量轻、功耗低、对比度高、分辨率高等优点，预计在接下来几年将会迎来爆发式增长。

在Micro OLED的制程中，需要用到TFE(Thin Film Encapsulation，薄膜封装)技术，主要是隔绝水氧，保护发光材料不受腐蚀。但目前行业内，蒸镀制程中掩膜板边缘容易产生particle，particle掉落到基板上，在蒸镀制程及后段制程中particle有可能四处飘散，particle的存在则会刺穿封装膜层，提供水氧入侵路径，降低封装可靠性。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种Micro OLED显示结构，通过适当调整制备工艺，对电路基板进行结构调整，可以集中存储蒸镀制程中掩膜板边缘的particle，可防止在蒸镀制程中particle四处飘散，可提高封装的可靠性。

为实现上述目的，本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：所述Micro OLED显示结构，包括电路基板及其上覆盖设置的多膜层结构，多膜层结构由多张掩膜板覆盖在电路基板上依次蒸镀成型，所述电路基板上设置有多个环形围墙，每张掩膜板的掩膜孔外缘两侧分别设置一个所述环形围墙，两个环形围墙之间形成容纳particle的环形凹槽。

进一步地，两个所述环形围墙与所述掩膜孔外缘之间的距离相等，两个所述环形围墙之间的距离设置为10～100μm。

进一步地，所述环形围墙的截面形状设置为上窄下宽的梯形，所述环形围墙的高度设置为0.5～2μm，所述环形围墙的顶部宽度设置为5～40μm，所述环形围墙的底部宽度设置为15～50μm。

进一步地，所述环形围墙由金属、无机或有机材料通过涂布、曝光、显影、刻蚀、喷墨打印或点胶的方式固定在所述电路基板上。

进一步地，所述多膜层结构包括电路基板上依次覆盖铺设的有机发光层、阴极金属层、光提取层和封装层，所述有机发光层、阴极金属层、光提取层和封装层各由一张掩膜板覆盖在所述电路基板上蒸镀成型，所述有机发光层与所述阴极金属层、所述阴极金属层与光提取层、所述光提取层与封装层沿外周方向的相交处的两侧均设置所述环形围墙。

进一步地，所述电路基板上还设置有多个阳极金属层和像素定义层，两个像素定义层之间形成子像素坑，所述子像素坑的底部设置所述阳极金属层。

进一步地，所述阳极金属层和像素定义层上覆盖所述有机发光层。

进一步地，所述封装层的膜层包括Al₂O₃、TiO₂、ATO、SiN、SiON、SiO、亚克力系有物、环氧树脂系有机物中的一种或多种之间的组合形成。

一种所述的Micro OLED显示结构的制备方法，包括以下步骤：

1)在硅基板上制备驱动电路形成所述电路基板；