[发明专利]一种垂直型恒流二极管的测试结构及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种垂直型恒流二极管的测试结构，应用于方阵分布有垂直型恒流二极管芯片的晶圆，其特征在于，所述测试结构包括：

MOSFET结构，所述MOSFET结构设置于所述晶圆划片道区域，所述MOSFET结构与所述垂直型恒流二极管芯片一一对应设置有多个，所述MOSFET结构的漏极与对应所述垂直型恒流二极管芯片的阴极相连；

横向导电条，所述横向导电条设置于所述晶圆划片道区域，所述横向导电条与所述垂直型恒流二极管芯片行数对应设置有多条并间隔设置于所述垂直型恒流二极管芯片之间，所有与同一行所述垂直型恒流二极管芯片阴极连接的所述MOSFET结构的源极分别与对应所述横向导电条连接，所有所述横向导电条端部分别设置有测试触点；

纵向导电条，所述纵向导电条设置于所述晶圆划片道区域，所述纵向导电条与所述垂直型恒流二极管芯片列数对应设置有多条并间隔设置于所述垂直型恒流二极管芯片之间，所有与同一列所述垂直型恒流二极管芯片阴极连接的所述MOSFET结构的栅极分别与对应所述纵向导电条连接，所有所述纵向导电条端部分别设置有所述测试触点；

其中，所有所述横向导电条和纵向导电条相互之间绝缘。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于：所述垂直型恒流二极管芯片包括：N+型重掺杂衬底，位于所述N+型重掺杂衬底上的N-型轻掺杂外延层，位于所述N-型轻掺杂外延层上的P阱区域，位于所述P阱区域内的N+型重掺杂区、P+型重掺杂区以及N型沟道区域，位于所述N-型轻掺杂外延层和N型沟道区域上的氧化层，以及覆盖所述垂直型恒流二极管芯片正面的阴极金属和覆盖所述垂直型恒流二极管芯片背面的阳极金属。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于：所述MOSFET结构包括：所述N+型重掺杂衬底，位于所述N+型重掺杂衬底上的所述N-型轻掺杂外延层，位于所述N-型轻掺杂外延层上的所述P阱区域，位于所述P阱区域内的N+型重掺杂源极和漏极，位于所述P阱区域上的所述氧化层，以及位于所述氧化层上的栅极。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于：所述垂直型恒流二极管芯片包括：P+型重掺杂衬底，位于所述P+型重掺杂衬底上的P-型轻掺杂外延层，位于所述P-型轻掺杂外延层上的N阱区域，位于所述N阱区域内的P+型重掺杂区、N+型重掺杂区以及P型沟道区域，位于所述P-型轻掺杂外延层和P型沟道区域上的氧化层，以及覆盖所述垂直型恒流二极管芯片正面的阳极金属和覆盖所述垂直型恒流二极管芯片背面的阴极金属；所述MOSFET结构包括：所述P+型重掺杂衬底，位于所述P+型重掺杂衬底上的所述P-型轻掺杂外延层，位于所述P-型轻掺杂外延层上的所述N阱区域，位于所述N阱区域内的P+型重掺杂源极和漏极，位于所述N阱区域上的所述氧化层，以及位于所述氧化层上的栅极。

5.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于：所述源极、漏极材料为铝硅合金，所述栅极材料为多晶硅。

6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于：所述纵向导电条为多晶硅条，所述横向导电条为铝硅合金金属条。

7.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于：所述垂直型恒流二极管芯片的氧化层上方设置有多晶硅结构。