[发明专利]一种垂直型恒流二极管的测试结构及其制备方法和应用

说明书

本发明公开了二极管技术领域内的一种垂直型恒流二极管的测试结构及其制备方法和应用，该测试结构应用于方阵分布有二极管芯片的晶圆，测试结构包括设置于晶圆划片道区域的增强型MOS结构、横向导电条和纵向导电条：MOS结构与二极管芯片对应设置有多个，MOS结构的漏极与对应二极管芯片的阴极相连；横向导电条和纵向导电条分别与二极管芯片行数及列数对应设置有多条并间隔设置于二极管芯片之间，同一行MOS结构的源极分别与对应横向导电条连接，同一列MOS结构的栅极分别与对应纵向导电条连接，所有横向导电条和纵向导电条端部分别设置有测试触点。针对二极管芯片数量较多的晶圆，通过该测试结构能大幅提高测试效率。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域，特别涉及一种垂直型恒流二极管的测试结构及其制备方法和应用。

背景技术

恒流二极管(CRD)作为一种半导体恒流器件，具有电路结构简单、芯片面积小、可靠性高等一系列优点，在LED驱动电路中有着广泛的应用。

在传统垂直型恒流二极管测试方法中，圆片背面阳极与测试载台直接接触，正面由测试板卡上的一根探针与单颗垂直型恒流二极管芯片的阴极接触，并通过导线与测试机台相连，通过测试板卡或者待测晶圆的步进移动来完成对晶圆上所有芯片的电学测试。通常情况下测试板卡或者待测晶圆的步进移动所需的时间占整个晶圆测试时间的60％以上。

随着半导体器件集成水平的提高和图形尺寸的减小，以及晶圆尺寸的不断增大，单个晶圆上包含的芯片数量也大幅增加，但也同时导致需要越来越多的时间对晶圆上所有芯片进行测试。为提高测试的质量和吞吐量，需要优化测试方式，提高测试效率。

发明内容

本申请通过提供一种垂直型恒流二极管的测试结构及其制备方法和应用，解决了在垂直型恒流二极管传统测试过程中测试板卡或者待测晶圆的步进移动耗时较长的问题，提高了测试效率。

本申请实施例提供了一种垂直型恒流二极管的测试结构，应用于方阵分布有垂直型恒流二极管芯片的晶圆，所述测试结构包括：

MOSFET结构，所述MOSFET结构设置于所述晶圆划片道区域，所述MOSFET结构与所述垂直型恒流二极管芯片一一对应设置有多个，所述MOSFET结构的漏极与对应所述垂直型恒流二极管芯片的阴极相连；

横向导电条，所述横向导电条设置于所述晶圆划片道区域，所述横向导电条与所述垂直型恒流二极管芯片行数对应设置有多条并间隔设置于所述垂直型恒流二极管芯片之间，所有与同一行所述垂直型恒流二极管芯片阴极连接的所述MOSFET结构的源极分别与对应所述横向导电条连接，所有所述横向导电条端部分别设置有测试触点；

纵向导电条，所述纵向导电条设置于所述晶圆划片道区域，所述纵向导电条与所述垂直型恒流二极管芯片列数对应设置有多条并间隔设置于所述垂直型恒流二极管芯片之间，所有与同一列所述垂直型恒流二极管芯片阴极连接的所述MOSFET结构的栅极分别与对应所述纵向导电条连接，所有所述纵向导电条端部分别设置有所述测试触点；

其中，所有所述横向导电条和纵向导电条相互之间绝缘。

上述实施例的有益效果在于：所有测试触点分别与测试机台相连，通过测试机台软件选择对应行的横向导电条及对应列的纵向导电条导通即可实现对特定垂直型恒流二极管芯片的导通测试，待对该晶圆上所有的垂直型恒流二极管芯片完成测试后，通过划片工序可去除测试结构仅获取垂直型恒流二极管芯片，不影响垂直型恒流二极管芯片的后期使用；通过该测试结构免除了常规测试方法中针卡或者待测晶圆的步进移动，无需增加额外的测试焊盘或导体连接层，仅通过测试机台软件的电性选择即可对整个晶圆上所有芯片进行快速测试，针对垂直型恒流二极管芯片数量较多的晶圆能大幅提高测试效率。

在上述实施例基础上，本申请可进一步改进，具体如下：