[发明专利]三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，

所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有测量标记；所述测量标记通过刻蚀所述堆叠结构而形成，所述测量标记形成于所述三维存储器的虚设区域内。

2.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，

所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有测量标记；

所述第一位置与所述台阶的预设形成位置对应；所述台阶位于台阶的实际形成位置；

所述测量标记的位置以及所述台阶区域内台阶的实际形成位置，用于确定所述台阶的偏移量，所述测量标记形成于所述三维存储器的虚设区域内。

3.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述测量标记形成于所述台阶区域内的部分台阶的表面上。

4.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一位置距离相邻两台阶的预设形成位置的距离相等。

5.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述测量标记沿至少两个方向排列，所述至少两个方向与所述三维存储器上至少两个台阶区域的形成方向相对应。

6.一种三维存储器台阶区域的形成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；

刻蚀所述堆叠结构，在所述三维存储器台阶区域内的若干台阶的预设形成位置内的第一位置形成测量标记，所述第一位置位于所述三维存储器的虚设区域内；

刻蚀所述堆叠结构，形成若干台阶；所述测量标记转移到所述台阶的表面上。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一位置距离相邻两台阶的预设形成位置的距离相等。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述测量标记的同时，在所述台阶区域内形成顶层台阶。

9.根据权利要求6-8中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述测量标记的位置以及所述台阶区域内台阶的实际形成位置，确定所述台阶的偏移量。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述测量标记包括位于所述台阶区域的形成方向上的侧边界；

所述根据所述测量标记的位置以及所述台阶区域内台阶的实际形成位置，确定所述台阶的偏移量，包括：

根据所述测量标记的侧边界与相邻台阶的边界之间的距离，确定所述相邻台阶的边界的偏移量。