[发明专利]三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法

说明书

本发明公开了一种三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法，其中，所述三维存储器，包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有测量标记；所述测量标记通过刻蚀所述堆叠结构而形成。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法。

背景技术

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维(3D)存储器应运而生。

目前，三维存储器主要包括垂直的沟道层，以及设置在沟道层外的水平堆叠的栅极结构。水平堆叠的栅极结构一般具有台阶区域(Stair Steps，SS)，以使每一层栅极通过相应的台阶面与垂直的接触孔(Contact，CT)导电连接，从而实现每一层栅极对应存储单元的寻址操作。实际制备过程中，如果台阶的形成位置发生偏移，后续工艺中形成的CT无法与相应的台阶准确对应，将导致对应栅极内的存储单元无法正常工作。因此，台阶区域内每一台阶的实际形成位置相对于预设形成位置的偏移情况，对于判断器件在该工艺阶段是否制备成功至关重要。

然而，由于台阶区域内各台阶需要经过多次刻蚀步骤形成，每一次刻蚀中掩膜层的尺寸、位置均会影响台阶的最终形成位置。目前通过光阻层的套刻(Overlay，OVL)量测以及刻蚀修整尺寸(ETCH TRIM CD)量测往往难以计算出台阶的实际偏移量。如何方便、准确的确定台阶的实际偏移情况成为本领域中亟需解决的技术问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

根据本发明实施例的第一方面，本发明实施例提供了一种三维存储器，所述三维存储器包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，

所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有测量标记；所述测量标记通过刻蚀所述堆叠结构而形成。

根据本发明实施例的第二方面，本发明实施例提供了一种三维存储器，所述三维存储器包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，

所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有测量标记；

所述第一位置与所述台阶的预设形成位置对应；所述台阶位于台阶的实际形成位置；

所述测量标记的位置以及所述台阶区域内台阶的实际形成位置，用于确定所述台阶的偏移量。

在一些实施例中，所述测量标记形成于所述三维存储器的虚设区域内。

在一些实施例中，所述测量标记形成于所述台阶区域内的部分台阶的表面上。

在一些实施例中，所述第一位置距离相邻两台阶的预设形成位置的距离相等。

在一些实施例中，所述测量标记沿至少两个方向排列，所述至少两个方向与所述三维存储器上至少两个台阶区域的形成方向相对应。

根据本发明实施例的第三方面，本发明实施例提供了一种三维存储器台阶区域的形成方法，所述方法包括以下步骤：

提供衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；

刻蚀所述堆叠结构，在所述三维存储器台阶区域内的若干台阶的预设形成位置内的第一位置形成测量标记；

刻蚀所述堆叠结构，形成若干台阶；所述测量标记转移到所述台阶的表面上。

在一些实施例中，所述第一位置位于所述三维存储器的虚设区域内。