[发明专利]存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个所述第一有源结构于所述绝缘结构内间隔排布；

进行物理气相淀积工艺，在所述衬底上形成字线导电层，所述字线导电层的顶表面高于所述第一有源结构的顶表面；

图形化刻蚀所述字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构及位于相邻所述字线结构之间的填充槽，所述填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽；

在所述第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构；

在所述第一填充槽中形成沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，位于所述绝缘结构顶表面部分的所述字线导电层的底表面低于所述第一有源结构的顶表面，所述提供衬底的步骤包括：

提供表面形成有绝缘层的衬底；

图形化刻蚀所述绝缘层，得到所述绝缘结构及若干个于所述绝缘结构内间隔排布的有源沟槽；

填充所述有源沟槽，形成顶表面高于所述绝缘结构顶表面的所述第一有源结构。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有源沟槽露出所述衬底的上表面，所述填充所述有源沟槽，形成顶表面高于所述绝缘结构的所述第一有源结构的步骤包括：

进行外延工艺，在所述有源沟槽中形成所述第一有源结构。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成字线导电层的步骤包括：

在所述衬底上形成第一栅间绝缘层，所述第一栅间绝缘层覆盖所述第一有源结构的顶表面及所述绝缘结构的顶表面；

在所述第一栅间绝缘层的顶表面形成第一导电层；

在所述第一导电层的顶表面形成第二导电层；

其中，所述第一栅间绝缘层、所述第一导电层、所述第二导电层构成所述字线导电层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述图形化刻蚀所述字线导电层，得到若干条平行间隔排布的所述字线结构的步骤包括：

图形化刻蚀所述第二导电层、所述第一导电层及所述第一栅间绝缘层，得到包括依次叠加的第二导电结构、第一导电结构、第一栅间绝缘结构的字线结构。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二导电结构包括钨导电结构，所述第一导电结构包括氮化钛结构，所述第一栅间绝缘结构包括氧化硅结构。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述得到包括依次叠加的第二导电结构、第一导电结构、第一栅间绝缘结构的字线结构之后还包括步骤：

在所述字线结构的侧壁依次形成第三导电结构和第二栅间绝缘结构；

其中，第三导电结构和第二栅间绝缘结构的延伸方向均与所述字线结构的延伸方向相同，所述第三导电结构和所述第二栅间绝缘结构的高度均等于所述字线结构的底表面与所述字线结构的顶表面之间的距离，所述存储器件的栅极字线包括所述字线结构、所述第三导电结构和所述第二栅间绝缘结构。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第三导电结构包括氮化钛结构，所述第二栅间绝缘结构包括氧化硅结构，所述字线结构包括埋入式字线结构，所述第二有源结构、所述隔离结构的顶表面均高于所述字线结构的顶表面。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一栅间绝缘结构和所述第二栅间绝缘结构共同构成所述存储器件的栅介质结构。

10.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于，所述在所述第一导电层的顶表面形成第二导电层的步骤包括：

在所述第一导电层上形成第二导电层材料；

对所述第二导电层材料进行平坦化处理，得到所述第二导电层。